[发明专利]包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法

说明书

本发明涉及利用在干式蚀刻工序中利用的半导体制造用部件，本发明的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于上述母材表面，上述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为2:1至100:1。

技术领域

本发明涉及用于干式蚀刻工序的半导体制造用部件，更详细地，涉及耐等离子特性优秀的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法。

背景技术

通常，作为在半导体制造工序中使用的等离子处理工法、干式蚀刻工序中的一种，使用气体来对目标进行蚀刻的方法。向反应容器内注入蚀刻气体并进行离子化之后，向晶片(Wafer)表面加速，来以物理、化学去除晶片表面的工序。上述方法中，蚀刻的调节简单，生产性高，可形成数十nm水平的微细图案，从而广泛使用。

包括干式蚀刻装置内的聚焦环在内的多种半导体制造用部件在存在等离子的恶劣条件的反应容器内进行蚀刻处理，来使等离子集中在晶片周边，且部件自身也向等离子露出并被损伤。因此，持续进行用于增加半导体制造用部件的等离子特性的研究。作为其中的一种，研究代替Si材质，制造SiC材质的聚焦环或电极等的部件的方法。

只是，与石墨基材相比，SiC材质的价格昂贵，从而导致产品的成本提高，尤其，在生产半导体制造用部件的情况下，SiC材质的价格成为问题，从而导致生产性降低。

发明内容

技术问题

本发明用于解决上述问题，本发明的目的在于，提供通过生产成本不会大幅度提高的简单方法生产半导体制造用部件的方法。

但是，本发明所要解决的问题并不局限于上述提及的问题，本发明所属技术领域的普通技术人员可从以下的记载明确理解未提及的其他问题。

技术手段

本发明的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于上述母材表面，上述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1。

根据本发明的一实施例，上述母材包含选自由石墨、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、重结晶SiC及化学气相蒸镀SiC组成的组中的至少一种。

根据本发明的一实施例，上述母材呈具有高度差的阶梯式结构，上述存在高度差的剖面包括曲面或者形成上述高度差的面形成钝角。

根据本发明的一实施例，上述SiC蒸镀层的厚度为2mm至20mm。

根据本发明的一实施例，上述SiC蒸镀层包括多个层。

根据本发明的一实施例，在上述母材的至少一面形成的SiC蒸镀层的厚度为在上述母材的上述一面的相反侧面形成的SiC蒸镀层的厚度的1.5倍至3倍。

本发明的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法包括：准备包含选自由石墨、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、重结晶SiC及化学气相蒸镀SiC组成的组中的至少一种的母材的步骤；以及在上述母材形成SiC蒸镀层的步骤。

根据本发明的一实施例，上述母材及上述SiC蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1。

根据本发明的一实施例，形成上述SiC蒸镀层的步骤通过化学气相蒸镀(CVD)法执行。

根据本发明的一实施例，形成上述SiC蒸镀层的步骤在1000℃至1900℃的温度下执行。

根据本发明的一实施例，形成上述SiC蒸镀层的步骤在蒸镀结束时的温度高于蒸镀开始时的温度的条件下执行。

根据本发明的一实施例，形成上述SiC蒸镀层的步骤在形成上述SiC蒸镀层的期间连续增加温度并执行。

根据本发明的一实施例，形成上述SiC蒸镀层的步骤执行多次。