[发明专利]包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，

包括：

母材；以及

SiC蒸镀层，形成于所述母材表面，

所述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1，

所述母材呈具有高度差的阶梯式结构，

在所述阶梯式结构的剖面中，与所述阶梯相关联的两个面之间形成曲面，或者形成与所述两个面中的每一个面分别形成钝角的平面，

在所述母材的所述一面形成的SiC蒸镀层的厚度为在所述一面的相反侧面形成的SiC蒸镀层的厚度的1.5倍至3倍，

所述一面的SiC蒸镀层的厚度比所述相反侧面的SiC蒸镀层的厚度厚。

2.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，所述母材包含选自由石墨、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、重结晶SiC及化学气相蒸镀SiC组成的组中的至少一种。

3.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，所述SiC蒸镀层的厚度为2mm至20mm。

4.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，所述SiC蒸镀层包括多个层。

5.一种包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，包括：

准备包含选自由石墨、烧结SiC、CVDSiC及热压SiC组成的组中的至少任一种的作为半导体制造材料的母材的步骤；以及

在所述母材形成SiC蒸镀层的步骤，

所述母材安装于夹具，使得所述母材的形成有所述SiC蒸镀层的一面与所述夹具的剖面接触，所述夹具呈锥形形状并且宽度增加直到达到所述剖面，

所述母材的所述一面与所述夹具中的所述剖面中彼此相邻的锥形面之间为钝角。

6.如权利要求5所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，所述母材及所述SiC蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1。

7.如权利要求5所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，形成所述SiC蒸镀层的步骤通过化学气相蒸镀(CVD)法执行。

8.如权利要求5所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，形成所述SiC蒸镀层的步骤在1000℃至1900℃的温度下执行。

9.如权利要求5所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，形成所述SiC蒸镀层的步骤在蒸镀结束时的温度高于蒸镀开始时的温度的条件下执行。

10.如权利要求5所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，形成所述SiC蒸镀层的步骤在形成所述SiC蒸镀层的期间连续增加温度并执行。

11.如权利要求5所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，形成所述SiC蒸镀层的步骤执行多次。

12.如权利要求5所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，在形成所述SiC蒸镀层的步骤之后，还包括在1500℃至2000℃中进行热处理的残留应力解除步骤。