[发明专利]膜式半导体包封构件、其制得的半导体封装与其制备方法

说明书

本发明涉及一种膜式半导体包封构件、以其制得的半导体封装与其制备方法。膜式半导体包封构件包括：第一层，由玻璃织物制成；第二层，形成在第一层上，第二层包括第一环氧树脂及第一无机填料；以及第三层，形成在第一层下，所述第三层包括第二环氧树脂及第二无机填料，其中所述第三层比所述第二层厚。

技术领域

实施例涉及一种膜式半导体包封构件、以其制得的半导体封装与其制备方法。更具体而言，实施例涉及可用于大面积应用且具有低翘曲与良好窄缝填充(Narrow GapPilling)特性并适合用于晶圆级封装制程或面板级封装制程的膜式半导体包封构件、以其制得的半导体封装与其制备方法。

背景技术

在市面上使用以环氧树脂组成物包封半导体装置的方法，以保护半导体装置免于外部环境影响，例如潮湿、机械冲击等。在一般半导体装置的包封中，通过首先切割(Dicing)晶圆并接着封装各半导体芯片(chip)而制造半导体芯片。近期已发展的制程中，未经切割的晶圆或面板先被封装，接着被切割为半导体芯片。一般而言，前者的方法意指芯片尺寸封装(Chip Scape Packaging，CSP)以及后者的方法意指晶圆级封装(Wafer LevelPackaging，WLP)或面板级封装(Panel Level Packaging，PLP)。

晶圆级封装可易于进行所述制程并可制造薄的封装以减少半导体安装空间。然而，在晶圆级封装或面板级封装中，配置的面积大于包封各芯片的芯片尺寸封装的面积。因此，可能因晶圆与包封材料之间的热膨胀系数差(thermal expansion coefficientdifference)而出现翘曲(Warpage)。翘曲会影响后续制程与芯片处理制程(waferhandling procedure)的良率。通常环氧树脂或硅树脂以水性形式(aqueous form)作为晶圆级封装或面板级封装中的包封材料。水性组成物可具有低含量的无机填料，且作为树脂的水性单分子(aqueous unimolecule)会降低半导体封装的可靠性。

因此，需要在晶圆级封装或面板级封装中可造成低翘曲并可在晶圆级封装或面板级封装中展现良好可靠性的半导体包封材料。

发明内容

技术问题

实施例是关于一种膜式半导体包封构件，可同时减少翘曲并展现良好的可靠性，且适合用于晶圆级封装或面板级封装。

实施例是关于一种具有良好的流动性与良好的窄缝填充特性的膜式半导体包封构件。

实施例是关于一种使用膜式半导体包封构件制造半导体封装的方法。

实施例是关于一种以膜式半导体包封构件包封的半导体封装。

解决问题的手段

膜式半导体包封构件可实现所述实施例，所述膜式半导体包封构件包括：第一层，包括玻璃织物；第二层，形成在第一层上，第二层包括第一环氧树脂及第一无机填料；以及第三层，形成在第一层的下表面上，第三层包括第二环氧树脂及第二无机填料，其中第三层比第二层厚。在例示性实施例中，第三层的厚度可为第二层的至少两倍。

在例示性实施例中，第一无机填料的最长直径可不大于玻璃织物的孔洞区域(pore area)的一半(二分之一)。在例示性实施例中，第二无机填料的最长直径可不大于第三层的厚度的一半(二分之一)。在例示性实施例中，第一无机填料的最大直径可与第二无机填料的最大直径相同或不同。在例示性实施例中，第三层可包括两种最长直径各不同的无机填料。

在例示性实施例中，第三层可包括第一区域以及第二区域，第一区域包括具有第一最长直径的无机填料，以及第二区域包括具有第二最长直径的无机填料。第一最长直径大于第二最长直径。

通过提供使用根据实施例的膜式半导体包封构件制造包括半导体装置的包封的半导体封装的方法，可实现所述实施例。