[发明专利]半导体元件承载用基板、半导体装置及光半导体装置及其制造方法

说明书

具有承载半导体元件之后能够除去的导电性基板、设在该导电性基板的表面上的半导体元件承载区域、由设在该半导体元件承载区域周围的所述导电性基板的所述表面上的规定区域的镀层构成的引线部，该引线部包括下层部及上层部，该下层部具有相对于所述导电性基板的所述表面大致垂直的侧面，而从所述表面向上方呈柱状延伸，该上层部具有位于该下层部的上面上的底面，并具有从该底面向上方及侧方呈锥状扩展的侧面。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件承载用基板、半导体装置及光半导体装置、及其制造方法。

背景技术

近年来，以手机为代表的电子设备的小型化·轻量化发展迅速，用于这些电子设备的半导体装置也随之被要求小型化·轻量化·高性能化。尤其是半导体装置的厚度，被要求薄型化。为了满足这些要求，现已研发出利用QFN(Quad Flat No-Lead)等对金属材料进行加工后的引线框架的半导体装置，最终除去其中的导电性基板而成的半导体装置。

具体而言，在导电性基板的一面侧，形成具有规定图案的抗蚀掩膜。在露于抗蚀掩膜之外的导电性基板上进行金属镀层，形成半导体元件承载用晶圆垫片部、以及可作为用于连接半导体元件的内部端子和用于连接外部设备的外部端子发挥功能的引线部，然后除去抗蚀掩膜，从而形成半导体元件承载用基板。在形成的半导体元件承载用基板上承载半导体元件，进行引线接合之后进行树脂密封，并除去导电性基板，以露出晶圆垫片部及引线部，从而完成半导体装置(例如，参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-9196号公报

专利文献2：日本特开2007-103450号公报

发明内容

本发明要解决的课题

然而，在这些半导体装置中，由于端子与密封树脂的密接性低，而会出现端子从密封树脂脱落、虽未脱落但有剥离、半导体装置的信頼性降低等问题，因此进行了各种改善。

例如，专利文献1中记载了一种以超出所形成的抗蚀掩膜的方式进行电沉积来形成导电性金属，从而获得在半导体元件承载用金属层以及外部连接用电极层的上端部周缘形成有突出部的半导体元件承载用基板的方法。由此，进行树脂密封时，金属层及电极层的突出部会伸入树脂，而能够确保该突出部留在树脂侧。

在专利文献1记载的这种以超出抗蚀掩膜的方式进行电沉积来形成导电性金属的方法中，以从抗蚀掩膜外伸的方式形成镀层时，难以控制外伸量。因此，会出现无法使形成的镀层都具有相同的突出长度的问题，以及，突出部增大而与其相邻的镀层连在一起的问题。另外，若镀层变薄，突出部的宽度及厚度也会变小，因此还会造成与密封树脂的密接性降低的问题。并且，外伸的镀层上面，因镀层的纵方向及横方向的成长比率关系而成为球状，这也构成接合信頼性降低的要因。

另外，专利文献2中记载了一种在形成抗蚀掩膜时利用散射紫外光来形成梯形抗蚀掩膜，从而形成逆梯形的金属层或电极层的方法。

根据专利文献2记载的这种利用散射紫外光来形成开口部剖面形状为梯形的抗蚀剂层的方法，电极层的剖面形状成为逆梯形。因此，其具有可提高与密封树脂的密接性、防止金属层或电极层从密封树脂脱落或剥离的效果。

然而，由于电极层的剖面形状为倒置梯形，因此，在承载半导体元件以及引线接合之后进行树脂密封时，电极层的侧面部相对于导电性基板成为锐角，而导致密封树脂难以回绕进入其中。因此，有时会发生孔洞等无密封树脂充填的情况。另外，电极层基部附近的密封树脂必然会取形于所述角度，成为前端锐角的形状，其强度较弱，容易发生密封树脂部的前端缺损或剥离的问题。