[发明专利]多芯片堆叠封装方法及封装体

权利要求书

1.一种多芯片堆叠封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一图形化的框架，所述框架具有至少一个金属垫及一芯片基岛；

将一第一芯片黏贴在所述芯片基岛的上表面，所述第一芯片未设置焊垫的表面与所述芯片基岛连接，所述金属垫的数量与所述第一芯片的焊垫的数量相同；

进行第一次塑封，形成第一塑封体，所述第一塑封体覆盖所述第一芯片及所述金属垫的上表面；

去除与所述金属垫及所述第一芯片的焊垫对应的第一塑封体，暴露出所述金属垫的上表面及第一芯片的焊垫；

在第一塑封体表面沉积图形化的金属层，其中，在与所述金属垫对应位置处形成一第一金属柱，在与所述第一芯片的焊垫对应位置处形成第一重布线层，所述第一芯片的每个焊垫通过所述第一重布线层与一个第一金属柱连接；

进行第二次塑封，形成第二塑封体，所述第二塑封体覆盖所述第一重布线层；

暴露出所述金属垫的下表面及所述芯片基岛的下表面；

将一第二芯片黏贴在所述芯片基岛的下表面，所述第二芯片未设置焊垫的表面与所述芯片基岛连接；

进行第三次塑封，形成第三塑封体，所述第三塑封体覆盖所述第二芯片及所述金属垫的下表面；

去除与所述金属垫及所述第二芯片的焊垫对应的第三塑封体，暴露出所述金属垫的下表面及第二芯片的焊垫；

在第三塑封体表面沉积图形化的金属层，在与所述金属垫对应位置处所述金属层形成一第二金属柱，所述第二金属柱穿过所述第三塑封体与所述金属垫连接，在与所述第二芯片的焊垫对应位置处所述金属层形成第二芯片的管脚，所述第一芯片的焊垫通过第一金属柱、金属垫与所述第二金属柱连接，所述第二金属柱的暴露端作为第一芯片的管脚。

2.根据权利要求1所述的多芯片堆叠封装方法，其特征在于，所述框架为图形化的金属框架，或者所述框架包括一基板，所述基板上设置有所述金属垫及所述芯片基岛。

3.根据权利要求1所述的多芯片堆叠封装方法，其特征在于，在去除与所述金属垫及所述第一芯片的焊垫对应的第一塑封体的步骤之后，还包括一在所述第一塑封体、金属垫及第一芯片的焊垫的暴露表面形成第一种子层的步骤。

4.根据权利要求1所述的多芯片堆叠封装方法，其特征在于，在去除与所述金属垫及所述第二芯片的焊垫对应的第三塑封体的步骤之后，还包括一在所述第三塑封体、金属垫及第二芯片的焊垫的暴露表面形成第二种子层的步骤。

5.根据权利要求1所述的多芯片堆叠封装方法，其特征在于，在第三塑封体表面沉积图形化的金属层的步骤中，所述图形化的金属层位于所述第三塑封体表面上的部分作为第二重布线层，所述第二重布线层与第二金属柱及第二芯片的焊垫连接，在形成第二重布线层之后还包括一形成图形化的管脚层的步骤，所述管脚层的各个管脚分别与第二重布线层的各个金属块连接，作为第一芯片及第二芯片的管脚使用。

6.根据权利要求5所述的多芯片堆叠封装方法，其特征在于，形成图形化的管脚层的步骤之后还包括进行第四次塑封的步骤：

进行第四次塑封，形成第四塑封体，所述第四塑封体覆盖所述第三塑封体及管脚层；

去除所述管脚层的各个管脚对应位置处的第四塑封体，暴露出各个管脚。

7.一种多芯片堆叠的封装体，其特征在于，包括：

一图形化的框架，所述框架具有至少一个金属垫及一芯片基岛；

一第一芯片，所述第一芯片未设置焊垫的表面连接至所述芯片基岛的一表面，所述第一芯片的焊垫通过一与所述第一芯片的焊垫对应的第一重布线层及一第一金属柱与所述金属垫的一表面连接，一第二金属柱的一端与所述金属垫的另一表面连接，另一端作为第一芯片的管脚；

一第二芯片，所述第二芯片未设置焊垫的表面连接至所述芯片基岛的另一表面，所述第二芯片的焊垫与一第二芯片的管脚连接；

一塑封体，塑封所述第一芯片及所述第二芯片，所述第一芯片的管脚及第二芯片的管脚暴露于所述塑封体之外。