[发明专利]半导体芯片封装结构及其方法

说明书

本发明公开了一种半导体芯片封装结构，包括第一基板和第二基板，第一基板具有第一表面，第二基板具有第二表面，第一基板与第二基板相对放置，且第一表面与第二表面相对，第一表面上设置有第一半导体元件、第二半导体元件和第一导接垫，第一半导体元件具有第一侧面，第二半导体元件相邻于第一半导体元件设置在第一表面上，第二半导体元件具有与第一侧面相对的第二侧面，第一导接垫电性连接于第一半导体元件和第二半导体元件，且黏结着第一侧面和第二侧面，第一基板与第二基板之间填充封胶体，能够进一步将半导体芯片封装结构做薄。

技术领域

本发明涉及半导体芯片封装件制造技术领域，尤其涉及一种半导体芯片封装结构及其方法。

背景技术

随着半导体及电子技术的发展，半导体封装结构的厚度越来越薄，集成度越来越高。例如，部分半导体封装结构的厚度已经可以做到0.33mm。鉴于目前的半导体封装结构通常包含导线框架(或基板)、芯片、引线以及注塑壳体，因此封装结构的厚度与导线框架(或基板)、芯片、引线高度和标刻深度等均有关系，在这种情况下，0.33mm的半导体封装结构厚度已是目前半导体封装工艺所能做到的极限。

在传统的多芯片封装件中，将多个半导体芯片安装在基板上，并采用包装材料来包装这些半导体芯片，以形成具有多个半导体芯片的封装件。通常采用引线键合方式或倒装芯片方式来将半导体芯片安装在基板上。

目前市场上期待的电子产品，能够进一步轻薄化，这就是半导体封装技术的新挑战。

发明内容

为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种半导体芯片封装结构及其方法，能够进一步将半导体芯片封装结构做薄。

为了达到以上目的，本发明采用的第一技术方案是：一种半导体芯片封装结构，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有第一表面，所述第二基板具有第二表面，所述第一基板与第二基板相对放置，且所述第一表面与第二表面相对；

所述第一表面上设置有第一半导体元件、第二半导体元件和第一导接垫，所述第一半导体元件具有第一侧面，所述第二半导体元件相邻于所述第一半导体元件设置在所述第一表面上，所述第二半导体元件具有与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第一导接垫电性连接于所述第一半导体元件和第二半导体元件，且黏结着所述第一侧面和第二侧面；

所述第二表面上设置有第三半导体元件、第四半导体元件和第二导接垫，所述第三半导体元件具有第三侧面，所述第四半导体元件相邻于所述第三半导体元件设置在所述第二表面上，所述第四半导体元件具有与所述第三侧面相对的第四侧面，所述第二导接垫电性连接于所述第三半导体元件和第四半导体元件，且黏结着所述第三侧面和第四侧面；

所述第一半导体元件上设有第一凸台，所述第一凸台上设有第一焊料层，所述第二半导体元件上设有第二凸台，所述第二凸台上设有第二焊料层，所述第一焊料层上设有第一锥状凹槽，所述第二焊料层上设有第二锥状凹槽，所述设有第三半导体元件上设有第三凸台，所述第三凸台的突出部嵌设于所述第一锥状凹槽，所述第四半导体元件上设有第四凸台，所述第四凸台的突出部嵌设与所述第二锥状凹槽，所述第一基板与所述第二基板之间填充封胶体。

进一步地，所述第一半导体元件、第二半导体元件、第三半导体元件和第四半导体元件采用晶片或被动元件。

进一步地，所述第一半导体元件与第二半导体元件之间的间距、所述第三半导体元件与第四半导体元件之间的间距均小于18μm，所述第一凸台、第二凸台、第三凸台和第四凸台的垂直高度均小于10μm。

进一步地，所述第三凸台内包覆有第三金属柱芯层，所述第三金属柱芯层的一端接触所述第三凸台，其另一端为显露，所述第四凸台内包覆有第四金属柱芯层，所述第四金属柱芯层的一端接触所述第四凸台，其另一端为显露。