[发明专利]基板支撑结构及其制造方法、第一片状物、热处理装置及基板吸附方法有效
| 申请号： | 200710091808.5 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101043018A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 福本靖博;辻雅夫;宫内博;谷口英行 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种热处理装置，在热处理板的上表面上设置有支撑片。在支撑片的上表面上形成有抵接支撑基板的凸部以及与基板的周缘部相抵接的凸缘部。因为该支撑片通过蚀刻处理而形成，所以凸部的周围成为凹部，不会如激光加工那样使凸部的周围成为开口。利用具有这些热处理板和支撑片的基板支撑结构，而能够适当地支撑基板。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 结构 及其 制造 方法 第一 片状 热处理 装置 吸附 | ||
【主权项】：
1.一种基板支撑结构，其对基板进行支撑，其特征在于，包括：板主体，其对基板进行支撑；第一片状物，其由树脂制成，设置在所述板主体的上表面上，并且，在第一片状物的表面上形成有抵接并支撑基板的凸部，所述第一片状物的凸部是通过蚀刻处理而形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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