[发明专利]一种半导体芯片及半导体芯片的封装方法在审

专利信息
申请号: 201711384461.3 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN107946250A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 赫然;须贺唯知;王英辉 申请(专利权)人: 中科院微电子研究所昆山分所
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/367;H01L21/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 215347 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片,其特征在于,所述半导体芯片包括芯片层和第一基板;

所述第一基板的表面键合有所述芯片层,所述第一基板中朝向所述芯片层的表面设置有至少一个第一凸起,所述第一凸起周围形成有凹陷区域;

所述第一凸起的上表面与所述芯片层相接触,所述凹陷区域中设置有连接所述芯片层与所述第一基板的粘结质。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述芯片层包括半导体层和第一金属层;

所述第一金属层覆盖于所述半导体层朝向所述第一基板的表面。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片,其特征在于,所述第一基板朝向所述芯片层的表面覆盖有第二金属层。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述第一基板中朝向所述芯片层的表面的边缘部形成有所述凹陷区域,所述边缘部为与所述第一基板的各个侧边的距离在预先设置的范围内的区域。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述粘结质为焊膏。

6.根据权利要求1至5任一项权利要求所述的半导体芯片,其特征在于,所述第一基板背向所述芯片层的表面键合有第二基板,所述第二基板与所述第一基板之间设置有第二凸起,所述第二凸起周围形成有所述凹陷区域;

所述第二凸起的上表面与所述第一基板或第二基板相接触,所述凹陷区域中设置有连接所述第一基板与所述第二基板的粘结质。

7.一种半导体芯片的封装方法,其特征在于,所述方法包括:

在第一基板的凹陷区域中设置粘结质;其中,所述第一基板的表面设置有至少一个第一凸起,所述第一凸起周围形成有所述凹陷区域;

将芯片层压合于所述第一基板的表面,以将具有第一高度的所述第一凸起压低成具有第二高度的第一凸起;

加热所述第一基板和所述芯片层,以使所述第一基板与所述芯片层相互键合。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述加热所述第一基板和所述芯片层,以使所述第一基板与所述芯片层相互键合包括:

以第一温度加热所述第一基板和所述芯片层,以使所述第一凸起的上表面直接键合于所述芯片层;

以第二温度加热所述第一基板和所述芯片层,以使所述粘结质固定连接所述第一基板与所述芯片层。

9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述将芯片层压合于所述第一基板的表面,以将具有第一高度的所述第一凸起压低成具有第二高度的所述第一凸起之前,所述方法还包括:

加热所述第一基板,以挥发所述粘结质中的挥发性物质。

10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述在第一基板的凹陷区域中设置粘结质之前,所述方法还包括:

清洗所述第一基板。

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