[发明专利]半导体芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711343927.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108133921A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 巴利生;林河北;凌浩;谭丽娟 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L23/492;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 芯片内部电路 制作 金属走线层 金属层 压焊块 衬底 压焊 半导体 半导体芯片制作 绝缘层表面 绝缘介质层 表面形成 减小 相交 | ||
1.一种半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底制作芯片内部电路，其中所述芯片内部电路包括金属走线层；
在所述芯片内部电路表面形成绝缘介质层；
在所述绝缘层表面形成压焊金属层，所述压焊金属层包括多个压焊块，且至少部分压焊块与所述金属走线层相交叠。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质层为二氧化硅层，其用于对所述压焊金属层和所述芯片内部电路之间进行电性隔离。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质层包括通孔，且所述压焊金属层通过所述通孔与所述金属走线层进行电性连接。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压焊金属层为铝硅铜的合金层，其用于在所述半导体芯片的封装时用来在所述半导体芯片的表面制作金属连线。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述压焊金属层制作在所述金属走线层的正上方。
6.一种半导体芯片，其特征在于，包括半导体衬底、芯片内部电路、绝缘介质层和压焊金属层，其中所述芯片内部电路制作在所述半导体衬底，且其包括金属走线层；所述绝缘介质层形成在所述压焊金属层和所述芯片内部电路之间；所述压焊金属层包括多个压焊块，其中至少部分压焊块与所述金属走线层之间具有交叠区域。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其特征在于，所述绝缘介质层为二氧化硅层，其用于对所述压焊金属层和所述芯片内部电路之间进行电性隔离。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，所述绝缘介质层包括通孔，且所述压焊金属层通过所述通孔与所述金属走线层进行电性接。
9.根据权利要求6所述的半导体芯片，其特征在于，所述压焊金属层为铝硅铜的合金层，其用于在所述半导体芯片的封装时用来在所述半导体芯片的表面制作金属连线。
10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，所述压焊金属层制作在所述金属走线层的正上方。
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