[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
申请号: | 201711215193.2 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN109390320B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 陈英儒;陈宪伟;陈明发 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明实施例是关于一种半导体结构及其制造方法。在一方面,本发明实施例是关于一种半导体结构,包含:裸片,其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;第一互连结构,其放置在所述第一表面处且包含第一电介质层及放置在所述第一电介质层内的第一导电部件;模塑物,其环绕所述裸片及所述第一互连结构;第二互连结构,其放置在所述第二表面及所述模塑物上方且包含第二电介质层及放置在所述第二电介质层内的第二导电部件;第一密封环,其放置在所述第二电介质层内且放置在所述模塑物上方;及导电凸块,其放置在所述第二互连结构上方。
技术领域
本发明实施例是关于一种半导体结构及其制造方法。
背景技术
使用半导体装置的电子装备对于许多现代应用是必不可少的。随着电子技术的发展,半导体装置的大小日益变小,同时具有更强大的功能性及更多的集成电路。由于半导体装置的小型化规模,集成芯片上系统(SoIC)广泛地用于将数个组件集成到单个半导体装置中。在SoIC操作期间,若干组件被组装在单个半导体装置上。此外,众多制造操作是在此小半导体装置内实施。
然而,半导体装置的制造操作涉及在此小且薄的半导体装置上进行的许多步骤及操作。呈小型化规模的半导体装置的制造变得越来越复杂。制造半导体装置的复杂性的增加可产生例如不良结构配置、组件分层或其它问题等缺陷,从而导致半导体装置的高合格率损失及制造成本的增加。因此,修改半导体装置的结构及改进制造操作存在许多挑战。
发明内容
在一方面,本发明实施例涉及一种半导体结构,其包括:裸片,其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;第一互连结构,其放置在所述第一表面处且包含第一电介质层及放置在所述第一电介质层内的第一导电部件;模塑物,其环绕所述裸片及所述第一互连结构;第二互连结构,其放置在所述第二表面及所述模塑物上方,且包含第二电介质层及放置在所述第二电介质层内的第二导电部件;第一密封环,其放置在所述第二电介质层内且放置在所述模塑物上方;及导电凸块,其放置在所述第二互连结构上方。
附图说明
当随着附图一起阅读时,依据以下详细说明最佳地理解本揭露的方面。强调,根据产业的标准惯例,各种构件未按比例绘制。事实上,为论述的清晰起见,可任意地增加或减小各种构件的尺寸。
图1是根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意性横截面图。
图2是图1中的第二电介质层及第一密封环的示意性俯视横截面图。
图3是根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意性横截面图。
图4是图3中的第二电介质层及第一密封环的示意性俯视横截面图。
图5是根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意性横截面图。
图6是根据本揭露的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。
图7A-7K是根据本揭露的一些实施例的按图6的方法制造半导体结构的示意图。
具体实施方式
以下揭露内容提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然,这些特定实例仅是实例且并非打算为限制性的。举例来说,以下说明中的在第二构件上方或第二构件上形成第一构件可包含其中第一构件及第二构件以直接接触方式形成的实施例,且还可包含其中可在第一构件与第二构件之间形成额外构件使得第一构件与第二构件可不直接接触的实施例。另外,本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简化及清晰目的且本质上并不指定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
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