[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

裸片，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

第一互连结构，其放置在所述第一表面处且包含第一电介质层及放置在所述第一电介质层内的第一导电部件；

模塑物，其环绕所述裸片及所述第一互连结构；

通路，其放置在所述模塑物内且延伸穿过所述模塑物；

第二互连结构，其放置在所述第二表面及所述模塑物上方，且包含第二电介质层及放置在所述第二电介质层内的第二导电部件；

第三互连结构，其放置在所述第一表面及所述第一互连结构下方，且包含第三电介质层及放置在所述第三电介质层内的第三导电部件；

第一密封环，其放置在所述第二电介质层内且放置在所述模塑物上方；

第二密封环，在所述裸片及所述第一电介质层内垂直延伸；

第三密封环，其放置在所述第三电介质层内；及

导电凸块，其放置在所述第二互连结构上方，

其中所述第一密封环与所述通路隔离，且所述第一密封环与所述模塑物隔离；

其中所述通路的厚度大体上与所述裸片的厚度及所述第一电介质层的厚度的总厚度相同；

其中所述第二密封环穿通所述裸片及所述第一电介质层的接面；及

其中所述第一密封环的宽度大体上大于所述第三密封环的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一密封环邻近于所述第二电介质层的边缘而放置。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一密封环在所述第二电介质层内垂直延伸或沿着所述第二电介质层的边缘而延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一密封环电连接到所述第二导电部件或所述导电凸块。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一密封环连接到电接地。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一密封环环绕所述第二导电部件。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二电介质层的一部分放置在所述第一密封环与所述模塑物之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述模塑物包含氧化物或模塑料。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二密封环邻近于所述裸片或所述模塑物的边缘而放置。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一密封环的宽度大体上大于所述第二密封环的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一密封环与所述通路电隔离。

12.一种半导体结构，其包括：

裸片，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

第一电介质层，其放置在所述第一表面处；

第一导电部件，其放置在所述第一电介质层内；

模塑物，其环绕所述裸片及所述第一电介质层；

通路，其放置在所述模塑物内且延伸穿过所述模塑物；

第二电介质层，其放置在所述第二表面及所述模塑物上方；

第一密封环，其放置在所述第二电介质层内且放置在所述模塑物上方；

第二密封环，放置在所述裸片及所述第一电介质层内；

第三电介质层，其放置在所述第一电介质层下方；及

第三密封环，其放置在所述第三电介质层内；

其中所述第一密封环与所述通路隔离；

其中所述通路的厚度大体上与所述裸片的厚度及所述第一电介质层的厚度的总厚度相同；

其中所述第二密封环穿通所述第一表面及所述第一电介质层邻近所述第一表面的表面；及

其中所述第一密封环的宽度大体上大于所述第三密封环的宽度。