[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体装置及其制造方法。其中一个实施例提供了一种半导体装置，其包括：衬底，具有相邻的第一区域和第二区域，其中衬底在第一区域中形成有第一沟槽结构部件，在第二区域中形成有第二沟槽结构部件，以及在第一区域和第二区域之间的边界处形成有伪沟槽结构部件；其中，第一沟槽结构部件在衬底中的深度小于第二沟槽结构部件在衬底中的深度。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

有些半导体装置的设计需要存在不同深度的浅沟槽隔离(STI)。而不同深度的STI的形成工艺结束后，在不同深度的STI的分界区域可能存在高度差，而这个高度差可能会导致平坦化处理后留下残留缺陷。这些残留缺陷会成为缺陷来源，影响晶圆的良率。

因此存在对于新的技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新颖的半导体装置及其制造方法，特别地，涉及避免由于同时存在不同深度沟槽而引起的缺陷。

根据本公开的第一方面，提供了一种半导体装置，其包括：衬底，具有相邻的第一区域和第二区域，其中衬底在第一区域中形成有第一沟槽结构部件，在第二区域中形成有第二沟槽结构部件，以及在第一区域和第二区域之间的边界处形成有伪沟槽结构部件；其中，第一沟槽结构部件在衬底中的深度小于第二沟槽结构部件在衬底中的深度。

根据本公开的第二方面，提供了一种制造半导体装置的方法，其包括：在衬底之上形成硬掩模，其中衬底具有相邻的第一区域和第二区域；对硬掩模进行图案化以便形成开口，所述开口分别对应于要在第一区域中形成的第一沟槽结构部件、要在第二区域中形成的第二沟槽结构部件、以及要在第一区域和第二区域之间的边界处形成的伪沟槽结构部件；通过硬掩模的开口来对衬底进行刻蚀操作，从而在第一区域中形成第一沟槽，在第二区域中形成第二沟槽，并且在第一区域和第二区域之间的边界处形成第三沟槽，其中第一沟槽在衬底中的深度小于第二沟槽在衬底中的深度；以及填充第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽并且进行化学机械抛光处理，从而分别形成第一沟槽结构部件、第二沟槽结构部件和伪沟槽结构部件。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示意性地示出了现有技术的半导体装置可能存在的缺陷。

图2示出了根据本公开一个示例性实施例的半导体装置的中间状态的截面图。

图3A示意性地示出了现有技术的图像传感器的平面布局，而图3B示意性地示出了根据本公开一个示例性实施例的图像传感器的平面布局。

图4示出了根据本公开一个示例性实施例的半导体装置的制造方法的流程图。

图5A-5G分别示出了在根据本公开一个示例性实施例来制造半导体装置的一个方法示例的各个步骤处的装置截面示意图。

图6A-6G分别示出了在根据本公开一个示例性替代实施例来制造半导体装置的一个方法示例的各个步骤处的装置截面示意图。

图7A-7G分别示出了在根据本公开另一个示例性替代实施例来制造半导体装置的一个方法示例的各个步骤处的装置截面示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。