[发明专利]半导体器件、其制作方法及其制作的存储器

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隔离结构，所述隔离结构将所述半导体衬底隔离为多个有源区；

形成一掩膜层，所述掩膜层覆盖所述半导体衬底；

在所述有源区内形成一第一凹槽，且去除与所述第一凹槽沿一第一方向上相邻的所述隔离结构上的所述掩膜层，所述第一凹槽沿所述第一方向上相对的两侧面与其相邻的所述隔离结构的侧面重合；

形成一多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述掩膜层、所述隔离结构以及所述第一凹槽；

沿所述第一方向对所述多晶硅层进行倾斜离子注入；

对所述多晶硅层进行氧化，以形成氧化硅层；

去除具有离子掺杂的所述氧化硅层；以及

以剩余的所述氧化硅层和所述掩膜层为掩膜，对所述第一凹槽下方的所述有源区进行刻蚀形成第二凹槽，所述第二凹槽在所述有源区內的部位形成为非对称结构的电晶管U形通道。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述有源区呈条状，所述有源区的宽度方向为所述第一方向，所述有源区的长度方向为一第二方向，所述第一方向和第二方向相互垂直；所述非对称结构包含所述电晶管U形通道沿所述第一方向相对布置的两侧坡度不同、所述电晶管U形通道在平行所述第二方向的两平行向上的底部深度不同、或者上述组合。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步骤包括：

以剩余的所述氧化硅层为掩膜对所述第一凹槽下方的所述有源区进行第一次刻蚀；以及

以所述掩膜层为掩膜对所述第一凹槽下方的所述有源区以及与所述第一凹槽沿所述第一方向上相邻的所述隔离结构进行第二次刻蚀，在所述有源区区域内形成所述第二凹槽，且剩余的所述氧化硅层被全部去除。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽之后，还包括：

在所述第二凹槽内依次形成一栅介质层、一第一金属层以及一第二金属层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述栅介质层、所述第一金属层以及所述第二金属层之后，还包括：

对所述第一金属层以及所述栅介质层进行回刻。

6.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀和第二次刻蚀均为干法刻蚀，所述第一次刻蚀对所述氧化硅层和所述掩膜层的刻蚀选择比大于5:1。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构以及通过所述隔离结构进行隔离的多个有源区；以及

至少一凹槽，贯通所述隔离结构与所述有源区，所述凹槽在所述有源区內的部位形成为非对称结构的电晶管U形通道；

其中，所述有源区呈条状，所述有源区的宽度方向为第一方向，所述有源区的长度方向为一第二方向，所述第一方向和第二方向相互垂直，所述非对称结构包含所述电晶管U形通道沿所述第一方向相对布置的两侧坡度不同、所述电晶管U形通道在平行所述第二方向的两平行向上的底部深度不同、或者上述组合。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

形成于所述凹槽内的栅极结构。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构包括依次位于所述凹槽内的栅介质层、第一金属层以及第二金属层，所述第二金属层的顶面高度相对于所述栅介质层和所述第一金属层的侧缘高度更加接近所述凹槽的开口。

10.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求7所述的半导体器件。