[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构包含衬底，所述衬底包含第一面、第二面，相对于所述第一面、以及凹槽，从所述第一面向所述第二面延伸；第一裸片，至少部分设置在所述凹槽内，且包含第一裸片衬底及第一结合件，所述第一结合件设置在所述第一裸片衬底上方；第二裸片，设置在所述第一裸片上方，且包含第二裸片衬底及第二结合件，所述第二结合件设置在所述第一裸片衬底与所述第二裸片衬底之间；重布线层RDL，设置在所述第二裸片上方；以及导电凸块，设置在所述RDL上方，其中所述第一结合件相对于所述第二结合件设置且与所述第二结合件结合。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

使用半导体装置的电子仪器对于许多现代应用来说是必要的。随着电子技术的进步，半导体装置在大小上变得越来越小，同时具有更大的功能性及更大量的集成电路。由于半导体装置的小型化，晶片级封装(wafer level packaging，WLP)因其低成本及相对简单的制造操作被广泛地使用。在WLP操作期间，许多半导体组件被组装在半导体装置上。又者，大量制造操作是在这么小的半导体装置内实施。

然而，半导体装置的制造操作涉及许多在这么小且薄的半导体装置上的步骤及操作。小型化半导体装置的制造变得越来越复杂。制造半导体装置的复杂度的增加可造成缺陷，诸如不良电互连、裂痕的发展、组件分层、组件的不精确放置或其它问题，而导致半导体装置的高产率损失。半导体装置以不想要的构形生产，这将进一步加剧材料浪费并因此增加制造成本。因此，对于修改半导体装置的结构及改善制造操作有许多挑战。

半导体装置与许多集成组件一起组装。因为涉及更不同的组件，半导体装置的制造操作的复杂度增加。因此，持续对改善制造半导体并解决上述缺陷有需求。

发明内容

本揭露是针对一种半导体结构，其包含衬底，所述衬底包含第一面、第二面，相对于所述第一面、以及凹槽，从所述第一面向所述第二面延伸；第一裸片，至少部分设置在所述凹槽内，且包含第一裸片衬底及第一结合件，所述第一结合件设置在所述第一裸片衬底上方；第二裸片，设置在所述第一裸片上方，且包含第二裸片衬底及第二结合件，所述第二结合件设置在所述第一裸片衬底与所述第二裸片衬底之间；重布线层(RDL)，设置在所述第二裸片上方；以及导电凸块，设置在所述RDL上方，其中所述第一结合件相对于所述第二结合件设置且与所述第二结合件结合。

在一些实施例中，一种半导体结构包含衬底，所述衬底包含延伸到所述衬底中的凹槽；第一裸片，被所述凹槽环绕，且包含第一正面、相对于所述第一正面且与所述凹槽的侧壁接口连接的第一背面、及设置在所述第一正面上方的第一结合件；第二裸片，设置在所述第一裸片上方，且包含与所述第一正面接口连接的第二正面、相对于所述第二正面的第二背面、及设置在所述第二正面上方的第二结合件；以及介电材料，设置在所述凹槽内且环绕第一裸片及所述第二裸片，其中所述第一结合件与所述第二结合件接口连接。

在一些实施例中，一种制造半导体结构的方法包含接收衬底；形成凹槽延伸到所述衬底中；设置第一裸片至少部分在所述凹槽内；设置第一介电材料在所述衬底上方且在所述凹槽内以环绕所述第一裸片；设置第二裸片在所述第一裸片上方；设置第二介电材料在所述第一介电材料上方以环绕所述第二裸片，其中所述第一裸片包含被所述第一介电材料环绕的第一结合件，所述第二裸片包含相对于所述第一结合件设置且被所述第二介电材料环绕的第二结合件，所述第一结合件与所述第二结合件结合。

附图说明

本揭露的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最佳理解。请注意需要强调的是，根据业界标准作法，各种特征未依比例绘制。事实上，为了使讨论内容清楚，各种特征的尺寸可刻意放大或缩小。

图1是根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意图。

图2是根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意图。