[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及从所述第一表面向所述第二表面延伸的凹部；

第一裸片，其至少部分地安置在所述凹部内，且包含第一前表面、第一裸片衬底以及安置在所述第一前表面上方的第一接合部件；

第二裸片，其安置在所述第一裸片上方，并包含第二前表面、第二裸片衬底以及安置在所述第二前表面上方的第二接合部件；

重布层RDL，其安置在所述第二裸片上方；以及

导电凸块，其安置在所述RDL上方，

其中所述第一接合部件与所述第二接合部件相对安置并与所述第二接合部件介接，且所述第一裸片的所述第一前表面与所述第二裸片的所述第二前表面介接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片与所述凹部的侧壁接合。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片的厚度实质上大于所述凹部的深度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片的部分从所述凹部突出。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片至少部分地被所述衬底环绕。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片的侧壁与所述凹部的侧壁之间的距离为约5um到约30um。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述凹部的深度为约20um到约60um。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片的厚度为约30um到约70um。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括介电材料，所述介电材料安置在所述凹部内并环绕所述第一裸片或所述第二裸片。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述介电材料安置在所述衬底与所述RDL之间。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其进一步包括通路，所述通路从所述第一接合部件向所述RDL延伸并穿过所述介电材料的部分。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述第一接合部件从所述第一裸片向所述介电材料延长。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述第一接合部件的部分突出到所述介电材料中或安置在所述介电材料内。

14.一种半导体结构，其包括：

衬底，其包含延伸到所述衬底中的凹部；

第一裸片，其被所述凹部环绕，且包含第一前表面、与所述第一前表面相对并与所述凹部的底部侧壁介接的第一背表面，以及安置在所述第一前表面上方的第一接合部件；

第二裸片，其安置在所述第一裸片上方，且包含与所述第一前表面介接的第二前表面、与所述第二前表面相对的第二背表面以及安置在所述第二前表面上方的第二接合部件；以及

介电材料，其安置在所述凹部内并环绕所述第一裸片和所述第二裸片，其中所述第一接合部件与所述第二接合部件介接。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述第一裸片被所述衬底环绕。

16.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述第一前表面的长度实质上大于所述第二前表面的长度，或所述第一前表面与所述介电材料介接。

17.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述第一背表面从所述衬底暴露。