[发明专利]半导体封装

说明书

一种半导体封装包括：在其中提供贯通电极的第一半导体芯片；连接到第一半导体芯片的顶表面的第二半导体芯片；第一连接凸块，附接到第一半导体芯片的底表面并且包括第一柱结构和第一焊料层；以及第二连接凸块，位于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，配置为电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且包括第二柱结构和第二焊料层。

技术领域

本发明构思涉及半导体封装，更具体而言，涉及包括基板穿孔(TSV)结构的半导体封装。

背景技术

随着电子产业快速成长以及用户需求增加，电子装置变得小且轻。因此，在电子装置中需要具有高性能和大储存容量的小且轻的半导体封装。为了使半导体封装小且轻并为了使半导体封装具有高性能和大存储容量，需要具有TSV结构的半导体芯片以及包括这样的半导体芯片的半导体封装。

发明内容

本发明构思提供一种半导体封装以及制造该半导体封装的方法，该半导体封装小且轻并且具有高性能和大存储容量。

根据本发明的一方面，提供一种半导体封装，该半导体封装包括：在其中提供贯通电极的第一半导体芯片；连接到第一半导体芯片的顶表面的第二半导体芯片；第一连接凸块，附接到第一半导体芯片的底表面并且包括第一柱结构和第一焊料层；以及第二连接凸块，位于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，配置为电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且包括第二柱结构和第二焊料层，其中第一柱结构包括与第二柱结构的材料不同的材料。

根据本发明构思的另一方面，提供一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一半导体芯片，安装在基板的顶表面上并且包括在其中提供的贯通电极；第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的顶表面上；第一连接凸块，位于第一半导体芯片和基板之间并且包括第一柱结构和第一焊料层；以及第二连接凸块，位于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并且包括第二柱结构和第二焊料层，其中第一柱结构包括与第二柱结构的材料不同的材料。

根据本发明构思的另一方面，提供一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；至少两个半导体芯片，安装在基板的顶表面上并且在垂直于基板的顶表面的第一方向上堆叠；芯片间连接凸块，位于所述至少两个半导体芯片之间并且配置为电连接所述至少两个半导体芯片当中的两个相邻的半导体芯片；芯片-基板连接凸块，位于基板与所述至少两个半导体芯片当中的最靠近基板的半导体芯片之间并且具有与芯片间连接凸块的堆叠结构不同的堆叠结构；以及外部连接端子，安装在基板的底表面上，其中外部连接端子的在平行于基板的顶表面的第二方向上的宽度大于芯片间连接凸块或芯片-基板连接凸块的宽度。

根据本发明构思的一方面，一种用于形成半导体封装的方法包括：形成穿过半导体基板的贯通电极；在贯通电极的第一表面上形成第一连接焊盘；在第一连接焊盘上形成第一连接凸块，该第一连接凸块具有包含具有第一杨氏模量的第一材料的第一柱结构；在贯通电极的第二表面上形成第一上连接焊盘，该第二表面与第一表面相反；在第一上连接焊盘上形成第二连接凸块，该第二连接凸块具有包含第二材料的第二柱结构，其中第一材料不同于第二材料。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，本发明构思的实施方式将被更清楚地理解，在附图中：

图1A是根据一些实施方式的半导体封装的俯视图；

图1B是沿图1A的线1B-1B'截取的剖视图；

图1C是示出图1B的部分1C的放大图；

图1D是示出图1B的部分1D的放大图；

图2是根据一些实施方式的半导体封装的剖视图；

图3是根据一些实施方式的半导体封装的剖视图；

图4是根据一些实施方式的半导体封装的剖视图；

图5是根据一些实施方式的半导体封装的剖视图；