[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

第一半导体芯片，包括贯通电极；

第二半导体芯片，在所述第一半导体芯片的顶表面上；

第一连接凸块，附接到所述第一半导体芯片的底表面，所述第一连接凸块包含第一柱结构和第一焊料层；以及

第二连接凸块，位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间以电连接所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，所述第二连接凸块包含第二柱结构和第二焊料层，

其中所述第一柱结构包含与所述第二柱结构的材料不同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一柱结构包括：

第一柱层，位于所述第一半导体芯片的所述底表面上；以及

扩散阻挡层，位于所述第一柱层上，定位得从所述第一半导体芯片的所述底表面起比所述第一柱层更远离所述第一半导体芯片的所述底表面，

其中所述第一柱层包含与所述第二柱结构的材料不同的材料。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一柱结构的所述第一柱层包含具有比所述第二柱结构中包括的材料的杨氏模量低的杨氏模量的材料。

4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一柱结构包含铜(Cu)并且所述第二柱结构包含镍(Ni)。

5.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一柱结构的所述第一柱层包含Cu并且所述扩散阻挡层包含Ni。

6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一柱结构还包括形成在所述扩散阻挡层上的粘合层并且所述粘合层包含Cu。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述贯通电极连接到所述第一连接凸块和所述第二连接凸块的至少之一。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第一模制构件，围绕所述第二半导体芯片的侧表面和所述第二连接凸块的侧表面并且不接触所述第一半导体芯片的所述底表面或所述第一连接凸块的所述底表面。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一柱结构在垂直于所述第一半导体芯片的所述顶表面的第一方向上的第一高度大于所述第二柱结构在所述第一方向上的第二高度。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二焊料层包含具有比所述第一焊料层的熔点高的熔点的材料。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

基板，面对所述第一半导体芯片的所述底表面并且通过所述第一连接凸块电连接到所述第一半导体芯片；以及

外部连接端子，位于所述基板的与所述基板的面对所述第一半导体芯片的顶表面相反的底表面上，

其中所述第一连接凸块在平行于所述第一半导体芯片的所述顶表面的第二方向上的宽度小于所述外部连接端子在所述第二方向上的宽度。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述基板是内插器或印刷电路板(PCB)，

其中所述外部连接端子在所述第二方向上的所述宽度大于50μm。

13.根据权利要求11所述的半导体封装，还包括：

第一模制构件，围绕所述第二半导体芯片的侧表面和所述第二连接凸块的侧表面并且不接触所述第一半导体芯片的所述底表面或所述第一连接凸块的所述底表面；以及

第二模制构件，位于所述基板与所述第一半导体芯片的所述底表面之间并且围绕所述第一连接凸块。