[发明专利]埋入式基板封装结构

说明书

本发明揭露一种埋入式基板封装结构，由上之下分别为第四介电层，第二基板、芯片及第五介电层、第三介电层、第二介电层、第一基板以及第一介电层；各层基板具有导线层与导通孔，而各介电层更具有开孔与导电凸块或导电垫等，导线层、导通孔、开孔、导电凸块、导电垫与埋入的芯片等则共同形成所需的电性连接。芯片采用覆晶方式与基板电性连结；芯片的背面所介接的是介电层材料。相较于习知技术中所介接的为基板，介电层的制程简单，并且在芯片倒置焊接后，其线路连接即完成。相较于习知的埋入式基板封装技术，本发明的结构可简化制程。

技术领域

本发明是关于一种埋入式基板封装结构。

背景技术

为适应科技产品的多功能化与体积微小化，许多半导体芯片的封装技术也应运而生，例如，利用芯片堆栈式(stacked)的封装以有效缩小电子产品体积、通过高密度基板(Substrate)来连接芯片与芯片以达到系统或次系统模块化的多芯片(MCM)封装、覆晶封装技术、通过将不同功能的IC整合于同一晶圆上制造的系统单芯片(System on a Chip，SoC)、或是系统化封装(System in a Package，SiP)等技术，都已经被广泛应用或视为是极具潜力技术。

例如，美国专利U.S.Patent No.8,115,297揭露一种具有埋入式晶粒的双基板结构及其方法(substrate structure with die embedded inside and dual build-uplayers over both side surfaces and method thereof)。该结构包含一第一基板，该第一基板具有连接于金属垫的一晶粒、以及分别形成于该第一基板两侧表面的第一、第二线路；一第二基板，具有一开口以接入该晶粒；以及第三、第四线路分别形成于该第二基板两侧表面。利用一具黏性的胶材填入该晶粒与第一基板之间、以及该晶粒与第二基板之间的空隙；并使用雷射切割该第一基板的背面以形成开口处以将该晶粒背面金属层进行部分的暴露。

值得说明的是，在上述的结构及制程中，其晶粒是以面朝上的方式与基板进行电性连结；再者，该晶粒的背面是直接与基板相连、并且要在该晶粒正放后，才能进行填胶固定该晶粒，再接着进行重布线线路(RDL)，最后才能完成线路连接。因此，整个封装制程较为复杂。

发明内容

鉴于前述的习知技术的缺点，本发明的主要目的是提供一种埋入式基板封装结构，采用覆晶方式与基板电性连结，制程简单。