[发明专利]埋入式基板封装结构

权利要求书

1.一种埋入式基板封装结构，其特征在于，包括：

一第一基板、一第二基板、一第一介电层、一第二介电层、一第三介电层、一第四介电层以及一第五介电层，

其中，该第一基板上设置有多个第一导通孔，该第一基板的上、下表面分别设置一第一上导线层与一第一下导线层，该第一上导线层与该第一下导线层透过该多个第一导通孔电性连接；

该第一介电层覆盖于该第一基板下表面的第一下导线层，在位于该第一下导线层处具有多个开孔，以暴露该第一下导线层的部分表面，该暴露表面可设置导电凸块；

该第二介电层覆盖于该第一基板上表面的第一上导线层，在位于该第一上导线层处具有多个开孔，以暴露该第一上导线层的部分表面，该暴露表面设置一导电凸块；

该第二基板设置有至少一个容置空间及多个第二导通孔，该至少一个容置空间用于容置一芯片，该第二基板的上、下表面分别设置一第二上导线层与一第二下导线层，该第二上导线层与该第二下导线层透过该多个第二导通孔电性连接；该第二基板的该第二下导线层透过该第三介电层的该导电凸块与该第一基板的第二介电层的该导电凸块电性连接；

该第四介电层覆盖于第二基板上表面的第二上导线层，在位于该第二上导线层处具有多个开孔(opening)，以暴露该第二上导线层的部分表面，该暴露表面可设置导电凸块；以及

该第五介电层包覆于该芯片四周，以填充该芯片与该容置空间之间的缝隙，并固定该芯片于该容置空间之内，

其中，该第二介电层及该第三介电层在位于该第二基板的容置空间处具有多个开孔，该多个开孔内设置该导电凸块或焊球本体，该芯片上的焊垫上方预作该导电凸块或该焊球本体；当该芯片放置于该容置空间时，透过该导电凸块或该焊球本体与该第一基板的第一上导线层电性连接。

2.根据权利要求1所述的埋入式基板封装结构，其特征在于，该第一介电层及该第二介电层所各暴露该第一下导线层及该第一上导线层部分表面设置有该导电凸块，该导电凸块更包括焊球本体及球下冶金层。

3.根据权利要求1所述的埋入式基板封装结构，其特征在于，该第三介电层及该第四介电层所各暴露该第二下导线层及该第二上导线层部分表面设置有该导电凸块，该导电凸块更包括焊球本体及球下冶金层。

4.根据权利要求1所述的埋入式基板封装结构，其特征在于，在该第四介电层上位于该芯片处更开设一窗口，该窗口设置一散热结构与该芯片接触。

5.根据权利要求1所述的埋入式基板封装结构，其特征在于，该第一基板与该第二基板的材质为高分子、塑料、陶瓷、金属、硅晶圆、复合材料、玻璃及软板的其中之一。

6.根据权利要求1所述的埋入式基板封装结构，其特征在于，该芯片为集成电路、传感器、生医芯片及被动组件的其中之一。

7.根据权利要求1所述的埋入式基板封装结构，其特征在于，该第一上导线层、该第一下导线层、该第一导通孔、该第二上导线层、该第二下导线层、该第二导通孔及该导电凸块的材质为铜、银、镍、金、锡之导电材料及其组合或银胶、碳胶之复合导电材料。

8.根据权利要求1所述的埋入式基板封装结构，其特征在于，该第一介电层、该第二介电层、该第三介电层、该第四介电层及该第五介电层的材质为聚酰亚胺、苯并环丁烯、硅胶材料、树脂及高分子类复合材料的其中之一。