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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于埋入式隔道布局的平面埋入式进气道及设计方法-CN201410315774.3有效
发明人：谢文忠;张东方;马广甫;葛严;林宇 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： B64D33/02 文献下载
摘要：一种基于埋入式隔道布局的平面埋入式进气道及设计方法，属飞行器气动设计领域。该平面埋入式进气道由埋入式进气道和埋入式隔道组成；埋入式隔道的进口位于埋入式进气道进气口前沿，埋入式隔道由进口前沿通向弹身两侧且关于弹身中心纵剖面左右对称，埋入式隔道由导流段和左、右两个内通道段组成。本发明利用在埋入式进气道稍上游位置开设有埋入式隔道，气流流经该埋入式隔道时，自飞行器前体发展而来的边界层低能流绝大部分被埋入式隔道导向弹身两侧，从而减少了进入埋入式进气道气流中低能流所占的比例，提高了埋入式进气道的进气品质，使得平面埋入式进气道的气动性能得到大幅提升。
基于埋入式隔道布局平面式进气道设计方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN201910266063.4有效
发明人：林志豪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该动态随机存取存储器包括埋入式位线、多条埋入式字线、位线接触结构与导电插塞。埋入式位线形成于基板中。埋入式字线的底表面高于埋入式位线的顶表面。位线接触结构形成于埋入式位线上且具有一穿孔。位线接触结构与埋入式位线不直接接触。位线接触结构的材料不同于埋入式位线的材料。导电插塞形成于位线接触结构与埋入式位线之间且填满穿孔。埋入式位线通过导电插塞电连接到位线接触结构。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法-CN201310530701.1有效
发明人：孙蓉;苏星松;符显珠;郭慧子 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法。该埋入式电阻合金材料按质量百分比计，包括镍80～97%、钼0.1～8%和磷2～12%。将该埋入式合金材料制成埋入式电阻薄膜，经实验表明，该埋入式电阻薄膜具有较好的耐蚀性、热稳定性和抗老化性能。
埋入电阻合金材料薄膜及其制备方法

[实用新型]具有定位功能的埋入式传感器外壳-CN201721344326.1有效
发明人：卿光弼;李自强;冉文俊 -专利权人：成都上甲光电科技有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有定位功能的埋入式传感器外壳，埋入式传感器，包括壳体、荧光粉，壳体采用透明材料制成，壳体上方设置有顶盖、开口，顶盖与开口匹配，所述壳体为腔体，壳体内侧面为齿轮状，埋入式传感器与开口匹配，埋入式传感器通过开口嵌入在壳体腔体内，埋入式传感器与壳体之间形成三角形的通孔，荧光粉放置在通孔内部。在桥梁建设过程中需要在晚上施工的时候，通过埋入式传感器外部的外壳发光确定埋入式传感器的位置，在施工的过程中避开埋入式传感器，避免埋入式传感器被破坏，保证埋入式传感器的存活率，避免了二次施工，节省了劳动力
具有定位功能埋入传感器外壳

[发明专利]晶体管结构-CN201810123483.2有效
发明人：陈彦铭;李久龄;蔡明轩;李秋德;王智充 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管结构，包括基底、晶体管元件、分离式埋入层与第二埋入层。基底具有元件区。晶体管元件位于元件区中。分离式埋入层位于晶体管元件下方的基底中，且包括彼此分离的多个第一埋入层。第二埋入层位于分离式埋入层下方的基底中，且连接多个第一埋入层。第二埋入层与分离式埋入层具有第一导电型。上述晶体管结构可具有较高的击穿电压。
晶体管结构

[发明专利]一种埋入式底座快速焊接工装操作方法-CN201210332473.2有效
发明人：叶纪隆;张继康;张双庆 -专利权人：昆山吉海实业公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋入式底座快速焊接工装操作方法，使用埋入式底座旋转式焊接定位器，且步骤如下，将埋入式底座旋转式焊接定位器的基板固定于工作台或者底面；用C型夹头将埋入式底座的面板固定在埋入式底座旋转式焊接定位器的圆盘的上表面，且使埋入式底座面板上的焊接口对应在转盘上表面的永磁方铁的安装位，焊接结合部向上；将需要焊接到埋入式底座面板上的杯状组件倒扣在永磁方铁上；将永磁方铁打开，将埋入式底座的杯状组件吸住；将固定住的埋入式底座面板和杯状组件焊接到一起本发明可以快速定位埋入式底座的面板和杯状组件，且定位准确，在焊接时可以进行旋转，有效的提高焊接速度，减少操作者疲劳。
一种埋入底座快速焊接工装操作方法

[发明专利]改进的埋入式隔离层-CN200880025008.6无效
发明人： M·丘奇 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/761 文献下载
摘要：本发明所揭示的集成电路包括基板，该基板具有顶部表面、在基板中的埋入式N型层、从该表面延伸到埋入式N型区域的N型接触区域、在基板中与埋入式N型区域相邻且在埋入式N型区域上方的埋入式P型区域、从该表面延伸到埋入式P型区域的P型接触区域、以及在该表面中且在埋入式P型区域上方的N型器件区域。埋入式P型区域的P型杂质包括其扩散系数低于P型接触区域的杂质的扩散系数的杂质。
改进埋入隔离

[发明专利]SOI晶片的制造方法-CN200980149263.6有效
发明人：石塚徹;小林德弘;阿贺浩司;能登宣彦 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
soi 晶片制造方法

[发明专利]一种埋入式进气道及飞行器-CN202011316781.7在审
发明人：万丽颖;安平;卢杰;任志文;赵胜海;王春利;陈尊敬;杨佳壁;万志明;肖毅;周俊伟;赵政衡;王天绥;高骏冬;万俊丹;倪金付 -专利权人：江西洪都航空工业集团有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B64D33/02 文献下载
摘要：本发明属于飞行器设计领域，涉及一种埋入式进气道。针对当前埋入式进气道受侧棱漩涡影响，进气道性能差的问题，本发明提出一种主流加侧棱旋流两通道的埋入式进气道，用于改善埋入式进气道的性能以及使用埋入式进气道的飞行器的性能。
一种埋入式进气道飞行器

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN201310147602.5有效
发明人：朴辰哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，该半导体器件包括半导体基板、第一埋入式栅极和第二埋入式栅极，该半导体基板包括单元区域、第二垫区域、以及设置在第二垫区域与单元区域之间的第一垫区域，第一埋入式栅极埋入到半导体基板的沟槽中并且从单元区域延伸到第二垫区域，第二埋入式栅极埋入到半导体基板的沟槽中，设置在第一埋入式栅极的上部上方，与第一埋入式栅极的上部间隔开，并且从单元区域延伸至第一垫区域。
半导体器件制造方法

[发明专利]埋入式元件电路板的制作方法及电路板-CN202111013502.4在审
发明人：郭伟静;王守亭 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本申请涉及电路板技术领域，具体公开了一种埋入式元件电路板的制作方法及电路板，其中，该埋入式元件电路板的制作方法包括：提供一芯板，芯板设有至少一个槽体；在槽体中设置埋入式元件，其中，埋入式元件的至少一侧与槽体的槽壁之间具有间隙；在间隙中填充缓冲材料；对芯板进行层压，同时使缓冲材料从熔融状态转变到固态，以得到埋入式元件电路板。通过上述方式，本申请中的埋入式元件电路板的制作方法通过在设置埋入式元件的槽体中填充缓冲材料，能够有效减小在芯板层压过程中，埋入式元件所承受的压力，从而能够有效降低埋入式元件被压裂的风险。
埋入元件电路板制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202310252597.8有效
发明人：大石晃久;金春花 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括相互间隔排布的有源区；埋入式字线结构，埋入式字线结构位于衬底内，且埋入式字线结构沿第一方向延伸，埋入式字线结构包括字线导电层；位线接触结构，位线接触结构位于有源区内，且至少部分位线接触结构的底面与字线导电层的顶面齐平，或者至少部分位线接触结构的底面低于字线导电层的顶面；埋入式位线结构，埋入式位线结构位于衬底内，埋入式位线结构沿第二方向延伸，埋入式位线结构位于位线接触结构的顶面。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201811066356.X有效
发明人：李世平;黄彬杰;洪瑞宏;叶益诚;杨承翰;黄文澔 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法，该影像传感器包括基底、感光元件、存储节点、埋入式栅极结构与第一遮光层。感光元件设置在基底中。存储节点设置在基底中。存储节点与感光元件彼此分离。埋入式栅极结构包括埋入式栅极与第一介电层。埋入式栅极设置在基底中，且至少覆盖部分存储节点。第一介电层设置在埋入式栅极与基底之间。第一遮光层设置在埋入式栅极上，且位于存储节点上方。第一遮光层电连接至埋入式栅极。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]罩幕式只读存储器及其制造方法-CN02119729.6有效
发明人：许荣显;曾健庭;周宏昕;陈世雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-05-14 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。
罩幕式只读存储器及其制造方法

[发明专利]半导体存储器结构及其制备方法-CN201810119214.9在审
发明人：廖伟明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该半导体存储器结构包括：一基底，该基底包括一第一隔离结构和至少一个主动区，且该主动区由该第一隔离结构所定义；一第二隔离结构，设置在该主动区中；一第一埋入式字元线和一第二埋入式字元线，设置在该第二隔离结构；以及至少一埋入式数字线，设置在主动区中。该第一埋入式字元线和该第二埋入式字元线的最顶部低于该第二隔离结构的一顶表面，且该埋入式数字线的一顶表面低于该第一埋入式字元线和该第二埋入式字元线的底表面。
埋入式字元线隔离结构主动区半导体存储器结构顶表面埋入式数字线基底制备最顶部

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