[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质有效
| 申请号: | 201680044904.1 | 申请日: | 2016-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN107851597B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 上村大义;伊藤刚;谷山智志 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;C23C16/44;H01L21/02;H01L21/22;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蕴;李平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 记录 介质 | ||
本发明的课题在于缩短搬送室内的氧浓度的降低时间。本发明的基板处理装置具有:搬送室,其从收容基板的收纳容器搬送上述基板;净化气体供给机构,其对搬送室内供给净化气体;以及压力控制机构,其设置于排放搬送室内的环境气体的排气路,并控制搬送室内的压力,压力控制机构具有:排气挡板,其使排气路全开或全闭;以及调整挡板,其设置在排气挡板内,且将搬送室内保持为预定的压力。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质。
背景技术
在半导体装置(设备)的制造工序中的基板的热处理中,例如使用立式基板处理装置。在立式基板处理装置中,在配设在对晶圆进行处理的处理室的下方侧的搬送室内,进行晶圆相对于基板保持体(晶舟)的装载(晶圆装载)、及卸载(晶圆卸载)。然后,在搬送室内,为了将从处理室内搬出的高温的晶圆冷却至预定温度,而利用洁净空气形成气流。该气流是利用沿搬送室的一侧的侧壁设置内置有过滤器及吹风机的清洁单元,并从该清洁单元对搬送室内吹出洁净空气而形成(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002—175999号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,存在作为基板搬送区域的搬送室内的氧浓度的降低时间变长的问题。
本发明的目的在于提供一种能够缩短搬送室内的氧浓度的降低时间的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明的一个方案,提供以下技术,其具备:
搬送室,其从收容基板的收纳容器搬送上述基板;
净化气体供给机构,其向上述搬送室内供给净化气体;以及
压力控制机构,其设置于排放上述搬送室内的环境气体的排气路,并控制上述搬送室内的压力,
上述压力控制机构具有:
排气挡板,其使上述排气路全开或全闭;以及
调整挡板,其设置在上述排气挡板内,并将上述搬送室内保持为预定的压力。
发明效果
根据本发明,能够缩短搬送室内的氧浓度的降低时间。
附图说明
图1是本发明的实施方式中适用的基板处理装置的纵剖视图。
图2是本发明的实施方式中适用的基板处理装置的横剖视图。
图3是本发明的实施方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图,且是处理炉部分的纵剖视图。
图4是本发明的实施方式中适用的基板处理装置的控制器的概略结构图,且是以框图表示控制器的控制系统的图。
图5(a)是表示压力控制机构的全闭动作的构造图。图5(b)是表示使压力控制机构的自动挡板及按压挡板打开的状态的构造图。图5(c)是表示压力控制机构的全开动作的构造图。
图6是本发明的实施方式中适用的搬送室的纵剖视图。
图7是本发明的实施方式中适用的加载口单元的纵剖视图。
图8是表示本发明的实施方式中适用的加载口单元的排气路径的图。
图9是本发明的实施方式中适用的压力控制机构的纵剖视图。
具体实施方式
以下,使用图1至3对本发明的一实施方式进行说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气,未经株式会社国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680044904.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:净化装置、净化储料器以及净化气体的供给方法
- 下一篇:半导体部件制造用膜
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





