[实用新型]封装基板及使用该封装基板的半导体封装件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及封装基板及使用该封装基板的半导体封装件。

背景技术

随着电子产品越来越趋向轻薄、高频及多功能，其电路集成度越来越高。为进一步提高半导体封装件的集成度，目前已设计出在封装基板上内埋的凹槽，其经配置以收纳待封装的电路元件，从而使得封装后的半导体封装件整体结构更薄化，以符合高密度的集成电路需求。但现有的这些凹槽通常是通过电镀铜溶铜(蚀刻)或机钻后压合等方式制作，工艺流程复杂，导致封装基板生产高成本、低效率。

因而，业内仍期望对现有的封装基板作进一步改进，从而简化内置凹槽的封装基板的生产流程。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供一种封装基板，其可具有内置的凹槽且不会导致工艺流程复杂化。

本实用新型的目的之二在于提供一种半导体封装件，其可使用具有内置凹槽的封装基板而进一步减小封装尺寸。

根据本实用新型的一实施例，一封装基板包含：介电层，其具有相对的上表面与下表面；第一线路层，其邻接该介电层的上表面；第二线路层，其邻接该介电层的下表面；至少一导通柱，贯穿该介电层且经配置以提供该第一线路层与该第二线路层间所需的电连接；及至少一凹槽，其经配置以收纳待封装电路元件。该至少一凹槽具有在该第一线路层上的开口，且该至少一凹槽位于该第一线路层下方的部分的纵截面呈向下收窄的梯形。

在本实用新型的一实施例中，至少一凹槽的底部是裸铜或镍金，位于该第二线路层的上表面或该第二线路层内部。该至少一凹槽的该开口周围设有若干焊垫，该焊垫经配置以与该待封装电路元件建立电连接。此外，该至少一凹槽是经激光钻孔方式形成的。在另一实施例中，该至少一凹槽的纵截面整体呈向下收窄的梯形。该封装基板是迹线嵌入式基板。

此外，本实用新型的实施例还提供了使用上述封装基板制造的半导体封装件。

本实用新型实施例提供的封装基板及使用该封装基板的半导体封装件可在介电材料上直接激光钻孔，具有节能、节时的优点。而且，本实用新型实施例形成的上宽下窄的梯形形状有利于凹槽内收纳的电路元件的封装，并能保证该电路元件的可靠性。

附图说明

图1是根据本实用新型一实施例的封装基板的侧面剖视图。

图2是根据本实用新型一实施例的封装基板的局部俯视图

图3a-3g所示是根据本实用新型一实施例的制造封装基板的方法的流程示意图

图4是根据本实用新型另一实施例的封装基板的侧面剖视图。

图5a-5g所示是根据本实用新型另一实施例的制造封装基板的方法的流程示意图

具体实施方式

为更好的理解本实用新型的精神，以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。

图1是根据本实用新型一实施例的封装基板10的侧面剖视图。

如图1所示，为清楚起见，本实施例仅示出该封装基板10涉及凹槽的两层板结构。事实上，该封装基板10可以是一简单的两层板，也可以是更复杂的三层、四层甚至更多层板，但其它层的结构并不影响本实用新型实施例关于凹槽部分的说明。具体的，该封装基板10包含介电层20、第一线路层30、第二线路层40及至少一导通柱50。该介电层20具有相对的上表面200与下表面202，第一线路层30邻接该介电层20的上表面200而第二线路层40则邻接该介电层20的下表面202。如本领域技术人员所理解的，在本实施例中，由于该封装基板10是迹线嵌入式基板，即在增层时介电层20压合在形成的线路层，如第一线路层30上，故该第一线路层30的线路结构，如迹线会内埋于介电层20，然为清楚起见业内仍区分为线路层和介电层。同样，在本实用新型中，为避免混淆，如虚线所区分，线路结构12，如迹线虽埋于介电层20，但仍视线路结构12压合前所在层为独立的第一线路层30，下同。该至少一导通柱50贯穿介电层20且经配置以提供第一线路层30与第二线路层40间所需的电连接。