[发明专利]集成电路芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种集成电路芯片，包括：

衬底，制作有集成电路和金属层，其中金属层电气耦接至集成电路；

钝化层，覆盖在衬底上；

通孔，位于钝化层中；

再布线层，分布于通孔中和钝化层的部分区域上，通过通孔电气耦接至金属层，再布线层具有上表面和侧面；

第一介质层，分布在再布线层的上表面和侧面，第一介质层具有上表面和侧面；以及

第二介质层，分布在第一介质层上表面的部分区域、侧面以及钝化层的剩余区域。

2.如权利要求1所述的集成电路芯片，还包括焊接凸起结构，分布在第一介质层上表面的剩余区域。

3.如权利要求1所述的集成电路芯片，其中所述第一介质层包括锡、金、铅、铂、镍、钯或者钛。

4.如权利要求1所述的集成电路芯片，其中所述第二介质层包括聚酰亚胺树脂或者聚对苯撑苯并二噁唑。

5.一种集成电路芯片，包括：

衬底，制作有集成电路和金属层，其中金属层电气耦接至集成电路；

钝化层，覆盖在衬底上；

第一连接单元和第二连接单元，每个连接单元各包括：

通孔，分布在钝化层中；

再布线层，分布于通孔中和钝化层的部分区域上，通过通孔电气耦接至金属层，再布线层具有上表面和侧面；以及

第一介质层，覆盖在再布线层的上表面和侧面，第一介质层具有上表面和侧面，以及

第二介质层，覆盖在第一介质层上表面的部分区域、侧面以及钝化层的剩余区域上。

6.如权利要求5所述的集成电路芯片，其中每个连接单元还包括焊接凸起结构，分布在第一介质层上表面的剩余区域上。

7.如权利要求5所述的集成电路芯片，其中所述第一介质层包括锡、金、铅、铂、镍、钯或者钛。

8.如权利要求5所述的集成电路芯片，其中所述第二介质层包括聚酰亚胺树脂或者聚对苯撑苯并二噁唑。

9.一种制作集成电路芯片的方法，包括：

在制作有集成电路和金属层的衬底上形成钝化层；

在钝化层中形成通孔；

在钝化层表面的部分区域以及通孔中形成再布线层；

以化学镀的方法在再布线层的上表面和侧面形成第一介质层；以及

在第一介质层上以及钝化层表面的剩余区域上形成第二介质层。

10.如权利要求9所述的制造集成电路芯片的方法，还包括对第二介质层进行显影以及曝光形成窗口以漏出第一介质层的部分区域，以及在第一介质层的部分区域上形成焊接凸起结构。

11.如权利要求9所述的制造集成电路芯片的方法，其中所述第一介质层包括锡、金、铅、铂、镍、钯或者钛。

12.如权利要求9所述的制造集成电路芯片的方法，其中所述第二介质层包括聚酰亚胺树脂或者聚对苯撑苯并二噁唑。

13.如权利要求9所述的制造集成电路芯片的方法，其中通过涂抹的方法形成第二介质层。