[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件，包括第一半导体器件、垂直设置在第一半导体器件上方的第二半导体器件，以及接地屏蔽传输路径。接地屏蔽传输路径将第一半导体器件连接至第二半导体器件。接地屏蔽传输路径包括第一信号路径，其在第一端和第二端之间纵向延伸。第一信号路径包含导电材料。第一绝缘层设置在所述信号路径上方，并纵向位于所述第一端和所述第二端之间。第一绝缘层包含电绝缘材料。接地屏蔽层设置在所述绝缘材料上方，并纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间。所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。接地屏蔽层将其中接收的辐射信号导入地面，以防止第一信号路径中的感应噪音。本发明实施例涉及3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体封装件。

背景技术

集成电路(“IC”)包含在许多电子器件内。IC封装可允许多个IC垂直堆叠在“三维(3D)”封装件内，以便节省印刷电路板(PCB)上的水平区域。另一种称为2.5D封装的封装技术可使用由诸如硅的半导体材料形成的中介层，以便将一个或多个半导体管芯连接到PCB。多个IC或其他可为异构技术的半导体管芯可安装在中介层上。

一个或多个半导体管芯上的很多器件可导致电噪音和/或通过EM发射产生电磁(“EM”)干扰。例如，RF器件和感应器就是可产生电噪音和EM干扰的器件的实例。诸如RF器件的噪音源可在金属引线等导电结构所承载的信号中产生电噪音。导线中的电噪音可影响封装中的各种其他信号和器件。有噪声的电信号会在半导体封装件中造成严重的问题。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体封装件，包括：第一半导体器件；第二半导体器件，垂直设置在所述第一半导体器件上方；以及接地屏蔽传输路径，将所述第一半导体器件连接至所述第二半导体器件，所述接地屏蔽传输路径包括：至少一个信号路径，在第一端和第二端之间纵向延伸，所述至少一个信号路径包含导电材料，其中，所述第一端电连接至所述第一半导体器件，并且所述第二端电连接至所述第二半导体器件；第一绝缘层，设置在所述信号路径上方，纵向位于所述第一端和所述第二端之间，其中，所述第一绝缘层包含电绝缘材料；和接地屏蔽层，设置在所述绝缘材料上方，纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间，其中，所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：第一信号路径，水平延伸穿过第一导电层；连续接地屏蔽，包括：第一导电材料，水平延伸穿过所述第一导电层上方的第一通孔层；和第二导电材料，水平延伸穿过所述第一导电材料下方的第二通孔层，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料连接至地面。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体封装件，包括：第一半导体器件；第二半导体器件，包括连续接地屏蔽，其中，所述连续接地屏蔽包括设置在所述第二半导体器件的各通孔层中的水平导电材料和设置在所述第二半导体器件的各金属层中的垂直导电材料；以及接地屏蔽传输路径，将所述第一半导体器件连接至所述第二半导体器件，所述接地屏蔽传输路径包括：至少一个信号路径，在第一端和第二端之间纵向延伸，所述至少一个信号路径包含导电材料；第一绝缘层，设置在所述信号路径上方，纵向位于所述第一端和所述第二端之间，其中，所述第一绝缘层包含电绝缘材料；和接地屏蔽层，设置在所述绝缘材料上方，纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间，其中，所述接地屏蔽层包含导电材料，并且其中，各个所述连续接地屏蔽和所述接地屏蔽层连接至地面。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，可更好地理解本发明的各方面。应注意到，根据本行业中的标准惯例，各种部件未按比例绘制。实际上，为论述清楚，各部件的尺寸可任意增加或减少。

图1示出了根据一些实施例的2.5D半导体封装件的侧视图，其包括中介层。

图2示出了根据一些实施例的三维(3D)半导体封装件的侧视图。

图3示出了根据一些实施例的2.5D半导体封装件，其包括具有接地屏蔽传输路径的中介层。