[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一半导体器件，包括第一通孔层、形成在所述第一通孔层上方的第一金属层、形成在所述第一金属层上方的第二通孔层以及形成在所述第二通孔层上方的第二金属层；

第二半导体器件，垂直设置在所述第一半导体器件下方；以及

中间扇出层，设置在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件之间，其中，所述中间扇出层包括绝缘材料、有源器件以及在第一方向上至少部分延续的第一接地屏蔽层，其中，所述有源器件设置为邻近于所述第一半导体器件的所述第一金属层，所述第一接地屏蔽层从所述有源器件的第一侧延伸至所述有源器件的第二侧；以及

接地屏蔽传输路径，将所述第一半导体器件连接至所述第二半导体器件，其中，所述接地屏蔽传输路径延伸穿过所述中间扇出层，所述接地屏蔽传输路径包括：

至少一个器件间信号路径，电连接所述第一半导体器件和所述第二半导体器件，所述至少一个器件间信号路径包含导电材料，其中，所述至少一个器件间信号路径包括：

在所述第一方向上、从所述第一半导体器件至所述第二半导体器件延伸穿过所述中间扇出层的第一部分；

包括设置在所述第一半导体器件的所述第一金属层内的第二部分；和

包括设置在所述第一半导体器件的所述第二金属层内的第三部分；

第一绝缘层，周向设置在所述至少一个器件间信号路径的所述第一部分的外围，其中，所述第一绝缘层包含电绝缘材料；和

第二接地屏蔽层，包括：

周向设置在所述第一绝缘层外围且位于所述至少一个器件间信号路径的所述第一部分的第一端和第二端之间的第一部分；

设置在所述第一半导体器件的所述第一通孔层的第二部分；

设置在所述第一半导体器件的所述第二通孔层的第三部分，

其中，所述第二接地屏蔽层的第一部分和所述第二接地屏蔽层的第二部分将所述至少一个器件间信号路径的第一部分与所述至少一个器件间信号路径的第二部分隔离，除了在通孔将所述至少一个器件间信号路径的第二部分连接至所述至少一个器件间信号路径的第一部分的位置外，并且所述第二接地屏蔽层的第三部分将所述至少一个器件间信号路径的第二部分与所述至少一个器件间信号路径的第三部分隔离，除了在通孔将所述至少一个器件间信号路径的第二部分连接至所述至少一个器件间信号路径的第三部分的位置外，并且其中，所述第二接地屏蔽层被配置为防止在所述至少一个器件间信号路径的第二部分和所述至少一个器件间信号路径的第三部分之间传输辐射信号。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二接地屏蔽层的第一部分包括圆柱形，并且周向设置在所述至少一个器件间信号路径的第一部分的外表面周围。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，进一步包括第三接地屏蔽层，设置在所述第二半导体器件内。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第三接地屏蔽层设置在所述第二半导体器件的各导电层之间。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述第三接地屏蔽层设置在所述第二半导体器件的导电层之间的多个通孔层中。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个器件间信号路径包括差分信号路径，所述差分信号路径包括第一器件间传输路径和第二器件间传输路径。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二接地屏蔽层包括设置在所述第一器件间传输路径周向外围的第一器件间接地屏蔽层，以及设置在所述第二器件间传输路径周向外围的第二器件间接地屏蔽层。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个器件间信号路径包括四分信号路径，所述四分信号路径包括第一器件间传输路径、第二器件间传输路径、第三器件间传输路径和第四器件间传输路径。