[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

第一芯片，包括第一主动面，其中所述第一主动面具有芯片接合区、多个位于所述芯片接合区内的第一内接点以及多个位于所述芯片接合区外的第一外接点；

绝缘保护层，配置于所述第一芯片的所述第一主动面上，所述多个第一内接点与所述多个第一外接点外露于所述绝缘保护层，所述绝缘保护层包括一凹槽，其中所述多个第一内接点在所述绝缘保护层上的投影位于所述凹槽的范围内，所述多个第一外接点在所述绝缘保护层上的投影位于所述凹槽的范围外；

多个第一导电凸块，配置于所述多个第一外接点上；

第二芯片，覆置于所述绝缘保护层的所述凹槽上且对应于所述芯片接合区处，且所述第二芯片具有多个第二接点；

多个第二导电凸块，位于所述凹槽内且位于所述多个第一内接点与所述多个第二接点之间，各所述第一内接点分别通过对应的所述第二导电凸块与对应的所述第二接点电性连接；以及

底填胶，位在所述绝缘保护层的所述凹槽与所述第二芯片之间，所述底填胶包覆所述多个第二导电凸块。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述凹槽在所述第一主动面上的区域至少包括所述第二芯片投影至所述第一主动面上的区域。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述绝缘保护层的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述绝缘保护层的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第二芯片包括第二主动面及相对于所述第二主动面的背面，所述凹槽的深度小于所述第二芯片的所述背面至所述凹槽的一底面之间的距离。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一芯片的尺寸大于所述第二芯片的尺寸。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，各所述第一导电凸块的高度大于各所述第二导电凸块的高度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

线路板，其中所述线路板与所述多个第一导电凸块电性连接，且所述第二芯片、所述多个第一导电凸块以及所述多个第二导电凸块位于所述线路板与所述第一芯片之间。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个第一导电凸块或所述多个第二导电凸块为铜柱。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，所述多个第一导电凸块或所述多个第二导电凸块为铜柱上设置锡层。