[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。

相关申请案的交叉参考

本专利申请案主张在韩国知识产权局中分别在2015年11月19日、2015年11月19日、2016年4月20日以及2016年7月8日提交的第10-2015-0162668号、第10-2015-0162675号、第10-2016-0048379、第10-2016-0086996号韩国专利申请案和在2016年11月18日提交的第15/355,159号美国专利申请案的优先权，这些专利申请案的揭示内容以引用的方式将全文并入本文中参考。

技术领域

本发明概念涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法，且更确切地说，涉及包含场效应晶体管的半导体装置以及制造半导体装置的方法。

背景技术

归因于其小型、多功能及/或低成本特征，半导体装置广泛用于电子工业中。半导体装置可以是用于储存数据的存储器装置、用于处理数据的逻辑装置，或包含存储器和逻辑元件两者的混合装置。为了满足对具有快速和/或低功耗的电子装置的增加的需求，需要具有高可靠性、高性能和/或多功能的半导体装置。为了满足这些技术需求，半导体装置的复杂性和/或集成密度增加。

发明内容

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于所述导体上；第二触点，其具有安置于所述第一触点上的第一部分以及在平行于所述衬底的方向上远离所述第一部分伸出的第二部分，其中所述第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于所述绝缘层和所述第二触点的所述第二部分上；以及金属线，其安置于所述通孔上。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：虚拟导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于所述虚拟导体上；沟槽硅化物，其安置于所述衬底上并且与所述虚拟导体间隔开；第二触点，其安置于所述沟槽硅化物上；以及第三触点，其直接安置于所述第一和第二触点上并且将所述第一和第二触点连接到彼此。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：第一导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于所述第一导体上；第二触点，其安置于所述衬底上并且与所述第一导体和所述第一触点间隔开；以及第三触点，其直接安置于所述第一和第二触点上并且将所述第一和第二触点连接到彼此。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：第一沟槽硅化物，其安置于衬底上；第一触点，其安置于所述第一沟槽硅化物的上表面上，其中所述第一沟槽硅化物夫人所述上表面比所述第一触点的下表面宽；第二沟槽硅化物，其安置于衬底上；第二触点，其安置于所述第二沟槽硅化物上；以及第三触点，其直接安置于所述第一和第二触点上并且将所述第一和第二触点连接到彼此。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：第一触点，其安置于衬底上并且在第一方向上纵向延伸；第二触点，其安置于所述衬底上并且在所述第一方向上纵向延伸；导体，其安置于所述第一和第二触点之间并且在所述第一方向上纵向延伸；以及第三触点，其安置于所述第一和第二触点上并且在与所述第一方向交叉的第二方向上纵向延伸，其中所述第三触点的第一部分伸出所述第一触点的边缘，使得所述第一触点在所述第二方向上安置于所述第一部分与所述导体之间。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：第一导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于所述第一导体上；第二导体，其安置于所述衬底上并且与所述第一导体间隔开；第二触点，其安置于所述第二导体上；以及第三触点，其直接安置于所述第一和第二触点上并且将所述第一和第二触点连接到彼此。

附图说明