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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括标准单元和填充单元的集成电路-CN202210054536.6在审
发明人：郑学澈;金仁谦;梁箕容;徐在禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括：标准单元，所述标准单元包括在第一方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度的第一有源区；以及填充单元，所述填充单元包括类型与所述第一有源区的类型相同的第二有源区并在所述第一方向上与所述标准单元相邻，所述第二有源区在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述标准单元还包括类型与所述第一有源区的类型相同的第一锥形部分，所述第一锥形部分布置在所述第一有源区和所述第二有源区之间。
包括标准单元填充集成电路

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202210612937.9在审
发明人：都桢湖;李昇映;郑钟勋;林辰永;梁箕容;白尚训;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]加法器单元和包括该加法器单元的集成电路-CN202210122092.5在审
发明人：徐在禹;郑珉在;金容德;梁箕容;全应彻;金昌泛;裵武奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F7/502 文献下载
摘要：一种多高度加法器单元，被配置为接收第一输入信号、第二输入信号以及进位输入信号并且输出和输出信号以及进位输出信号，该多高度加法器单元包括：多个电路区域，包括对其施加第一输入信号的多个第一栅极线以及对其施加第二输入信号的多个第二栅极线，其中，第一电路区域和第二电路区域中的至少一个布置在第一行中，第三电路区域和第四电路区域中的至少一个布置在与第一行平行的第二行中，以及布置在第一行中的电路区域的第一栅极线与布置在第二行中的电路区域的第一栅极线对齐。
加法器单元包括集成电路

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN201611023256.X有效
发明人：都桢湖;李昇映;郑钟勋;林辰永;梁箕容;白尚训;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110869048.6在审
发明人： 梁箕容;金仁谦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有有源区域；第一标准单元，布置在有源区域上的第一行中；第二标准单元，布置在有源区域上的第二行中，并且与第一标准单元具有第一边界；第三标准单元，布置在有源区域上的第三行中，并且与第一标准单元具有第二边界；以及多条电源线，分别沿着边界布置。第一标准单元至第三标准单元中的每个包括在所述第一方向上延伸的多个鳍图案，并且所述多个鳍图案在第二方向上布置，而不设置在第一边界和所述第二边界之中的至少一个边界上。
半导体装置

[发明专利]设计半导体装置的布图的方法和制造半导体装置的方法-CN201610615043.X有效
发明人：宋泰中;白尚训;赵成伟;都桢湖;梁箕容;林辰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：提供了一种设计半导体装置的布图的方法和制造半导体装置的方法。所述设计半导体装置的布图的方法包括：制造标准单元布图，包括在至少一个互连布图中安置初始管脚图案；执行布线步骤以使初始管脚图案连接到高水平互连布图；基于完成布线步骤时获得的接触信息在互连布图中产生管脚图案。管脚图案小于初始管脚图案。
设计半导体装置方法制造

[发明专利]集成电路和集成电路组-CN202110478287.9在审
发明人：宋泰中;白尚训;赵成伟;都桢湖;梁箕容;林辰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供集成电路和集成电路组。该集成电路包括：基底；第一和第二有源区；第一和第二电源线；多个栅极图案，平行第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开；第一接触件，在有源区内和栅极图案上；连接下金属线和上金属线的过孔；多个鳍，沿第二方向延伸并形成在有源区上；源区/漏区，在有源区中和栅极图案两侧处；第二接触件，连接到源区/漏区。栅极图案在鳍上沿第一方向跨过鳍彼此平行延伸。第一接触件在第一层中，下金属线在第二层中，上金属线在第三层中。第一接触件将栅极图案电连接至下金属线。第一接触件包括接触栅极图案的第一部和接触下金属线的第二部。第一和第二有源区包括PMOSFET和NMOSFET区。
集成电路

[发明专利]包括集成的标准单元结构的集成电路-CN202011508202.9在审
发明人： 梁箕容;俞炫圭;G.R.金;林辰永;金仁谦;郑学澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供包括集成的标准单元结构的集成电路。一种集成电路包括：第一有源区和第二有源区，在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；电源轨和接地轨，在第一方向上延伸并在第二方向上与第一有源区和第二有源区间隔开且彼此间隔开；源极/漏极接触，在第二方向上延伸，在第一有源区或第二有源区的至少一部分上；栅极结构，在第二方向上延伸并在第一有源区和第二有源区的至少一部分上；电源轨，配置为通过源极/漏极接触通路供应电力；以及接地轨，配置为通过源极/漏极接触通路供应接地电压。
包括集成标准单元结构集成电路

[发明专利]包括集成标准单元结构的集成电路-CN202011192165.5在审
发明人：俞炫圭;金仁谦;梁箕容;柳志秀;林辰永;郑学澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括：第一标准单元，包括第一第一类型晶体管、第一第二类型晶体管、第三第二类型晶体管和第三第一类型晶体管；第二标准单元，包括第二第一类型晶体管、第二第二类型晶体管、第四第二类型晶体管和第四第一类型晶体管；以及多个布线层，设置在所述第一标准单元和所述第二标准单元上并且包括顺序堆叠的第一布线层、第二布线层和第三布线层。所述第一第一类型晶体管的源极接触和所述第二第一类型晶体管的源极接触通过所述多个布线层的第一电源轨电连接，并且所述第三第一类型晶体管的源极接触和所述第四第一类型晶体管的源极接触通过多个布线层的第二电源轨电连接。
包括集成标准单元结构集成电路

[发明专利]用于设计半导体装置的方法和系统-CN201510645497.7有效
发明人：白尚训;宋泰中;梁箕容;都桢湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：提供了设计半导体装置的方法和用于设计半导体装置的系统。设计半导体装置的方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；并检验标准单元布局。
用于设计半导体装置方法系统

[发明专利]包括标准单元的集成电路-CN201810118892.3在审
发明人：金仁谦;金夏永;宋泰中;郑钟勋;梁箕容;林辰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路(IC)，该IC可以包括多个标准单元。该多个标准单元中的至少一个标准单元可以包括：电源轨，配置为向所述至少一个标准单元供电，电源轨在第一方向上延伸；包括至少一个晶体管的单元区域，该至少一个晶体管配置为确定所述至少一个标准单元的功能；第一虚设区域和第二虚设区域，分别与单元区域的在第一方向上的两侧相邻；以及有源区域，跨单元区域、第一虚设区域和第二虚设区域地在第一方向上延伸。有源区域的包括在第一虚设区域或第二虚设区域中的区域电连接到电源轨。
标准单元虚设区域单元区域电源轨源区域集成电路晶体管配置电连接晶体管延伸供电配置

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