[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面、背面以及在所述主表面和所述背面之间延伸的侧表面；以及

至少一个金属层，所述至少一个金属层穿过所述衬底的所述背面延伸，

其中位于所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的所述衬底的边缘处的所述至少一个金属层的外围部分朝向包含所述主表面的平面延伸，以防止位于所述至少一个金属层的所述外围部分的毛刺干扰所述衬底的所述背面安装在载体的表面上，

其特征在于，所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的所述衬底的边缘包括突起，所述突起从所述侧表面向外延伸并且所述突起具有朝向包含所述主表面的所述平面向上延伸的表面，并且其中所述至少一个金属层的所述外围部分沿着所述朝向包含所述主表面的平面向上延伸的表面延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的所述衬底的边缘是弯曲的，并且其中所述至少一个金属层的所述外围部分沿着所述衬底的所述弯曲边缘延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的所述衬底的边缘相对于所述背面的表面法线以角度180°α90°向上倾斜，并且其中所述至少一个金属层的所述外围部分沿着所述衬底的所述倾斜边缘延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的所述衬底的边缘包括大体上L形阶梯部分，所述大体上L形阶梯部分具有向内指向所述衬底的主体区的拐角，并且其中所述至少一个金属层的所述外围部分沿着所述大体上L形阶梯部分延伸。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底包括位于所述主表面的一个或多个有源部件。

6.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有主表面和背面的半导体晶片；

在衬底的背面中形成沟道的阵列；

将至少一个金属层沉积在所述晶片的所述背面上，其中所述至少一个金属层穿过所述晶片的所述背面延伸并且涂覆所述沟道的内表面；以及

大体上沿着由所述沟道限定的线单体化所述晶片，其中所述单体化产生多个半导体装置，每个装置包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有与所述晶片的所述主表面对应的主表面、与所述晶片的所述背面对应的背面和在所述衬底的所述主表面与所述衬底的所述背面之间延伸的侧表面；以及

至少一个金属层，所述至少一个金属层穿过所述衬底的所述背面延伸，

其中位于所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的每个衬底的边缘处的所述至少一个金属层的外围部分朝向包含所述衬底的所述主表面的平面延伸，以防止位于所述至少一个金属层的所述外围部分的毛刺干扰所述衬底的所述背面安装在载体的表面上，以及

其中每个衬底的所述至少一个金属层的所述外围部分对应于在所述晶片的所述背面上涂覆所述沟道的内表面的所述至少一个金属层的一部分，

其特征在于，所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的所述衬底的边缘包括突起，所述突起从所述侧表面向外延伸并且所述突起具有朝向包含所述主表面的所述平面向上延伸的表面，并且其中所述至少一个金属层的所述外围部分沿着所述朝向包含所述主表面的平面向上延伸的表面延伸。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述沟道中的至少一些沟道具有圆角。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述沟道中的至少一些沟道大体上呈V形。

9.根据权利要求6到8中任一项所述的方法，其特征在于，所述沟道中的至少一些沟道大体上是矩形。