[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
申请号: | 201610179428.6 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN106711123B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 金炫柱;李承焕 | 申请(专利权)人: | 哈纳米克罗恩公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L21/60 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;许向彤 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
基板;
安装在所述基板上的半导体芯片;
连接元件,所述连接元件包括安装在所述基板上的绝缘体,形成在所述绝缘体的一个端部的导电材料的第一连接部分,以及形成在所述绝缘体的另一个端部的导电材料的第二连接部分;
模制部分,包围所述半导体芯片,并且密封所述连接元件以便暴露所述第一连接部分的上表面;以及
屏蔽层,包围所述模制部分,并且在与所述第一连接部分对应的部分上形成有开口部分,
其中,所述绝缘体是长方体,
所述第一连接部分覆盖所述绝缘体的一个端部的整个表面,并且所述第一连接部分的一部分形成为可旋转地插入到所述绝缘体的每个侧表面中,并且
所述第二连接部分覆盖所述绝缘体的另一个端部的整个表面,并且所述第二连接部分的一部分形成为可旋转地插入到所述绝缘体的每个侧表面中。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述开口部分形成为用于暴露所述第一连接部分和所述第二连接部分。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述开口形成为用于暴露所述第一连接部分、所述第二连接部分和所述绝缘体的上表面的一部分。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述绝缘体的厚度T1小于所述第一连接部分的厚度T2。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片是通信芯片,并且所述通信芯片通过所述连接元件与所述屏蔽层的外部的天线电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接元件的绝缘部分由陶瓷形成,并且所述第一连接部分和所述第二连接部分由焊料(锡)或铜形成。
7.一种半导体封装件的制造方法,包括:
A:在基板上安装半导体芯片;
B:在所述基板上安装连接元件,所述连接元件包括绝缘体,形成在所述绝缘体的一个端部的导电材料的第一连接部分,以及形成在所述绝缘体的另一个端部的导电材料的第二连接部分;
C:形成具有与所述连接元件的所述第一连接部分的厚度相对应的厚度的模制部分;以及
D:形成包围所述模制部分的屏蔽层并且形成用于暴露所述第一连接部分的开口部分,
其中,所述绝缘体是长方体,
所述第一连接部分覆盖所述绝缘体的一个端部的整个表面,并且所述第一连接部分的一部分形成为可旋转地插入到所述绝缘体的每个侧表面中,并且
所述第二连接部分覆盖所述绝缘体的另一个端部的整个表面,并且所述第二连接部分的一部分形成为可旋转地插入到所述绝缘体的每个侧表面中。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,步骤C的特征在于:形成模制部分以包围所述半导体芯片,并且密封所述连接元件以便暴露所述第一连接部分的上表面。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,步骤C形成所述模制部分,所述模制部分密封以覆盖所述半导体芯片和所述第一连接部分的上表面,
并且步骤D在形成所述屏蔽层上的用于暴露所述第一连接部分的所述开口部分时去除所述第一连接部分的顶部上的所述模制部分。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,步骤D形成所述屏蔽层,所述屏蔽层形成用于暴露所述第二连接部分的所述开口部分。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,步骤D包括:
D-1:形成所述屏蔽层以包围所述模制部分;以及
D-2:在所述屏蔽层中形成用于暴露所述第一连接部分的所述开口部分。
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