[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

绝缘材料层以及位于绝缘材料层正面的顶层半导体层，所述顶层半导体层包括若干晶体管区域，其中，相邻晶体管区之间还形成有隔离结构，所述晶体管区的顶层半导体层部分表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的晶体管区的顶层半导体层内形成有掺杂区，所述顶层半导体层表面以及隔离结构表面还形成有第一介质层，所述第一介质层覆盖栅极结构和掺杂区，且第一介质层顶部高于栅极结构顶部；

贯穿位于相邻晶体管区之间的第一介质层、隔离结构以及绝缘材料层的第一开口；

填充满所述第一开口的第一导热层，所述第一导热层材料的热传导率大于隔离结构材料的热传导率；

位于所述掺杂区表面且还贯穿所述第一介质层的第零导电插塞；

位于所述第一介质层上方且与第零导电插塞电连接的第零层导电层；

位于所述第一介质层上方且覆盖第零层导电层的第二介质层，所述第二介质层内形成有与第零层导电层电连接的互连结构，且所述互连结构包括顶部被第二介质层暴露出的顶层导电层；

与所述第二介质层表面以及顶层导电层表面相键合的载体晶圆；

贯穿所述绝缘材料层的通孔，且所述通孔还与互连结构电连接；

填充满所述通孔的底层导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在平行于顶层半导体层表面方向上，所述第一开口的宽度小于相邻晶体管区之间的宽度。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在平行于顶层半导体层表面方向上，所述第一开口与相邻晶体管区之间的隔离结构的宽度为0.1微米至0.4微米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导热层的材料为多晶硅或非晶硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括，位于所述绝缘材料层背面的第二导热层，所述第二导热层材料的热传导率大于空气热传导率，其中，所述通孔还贯穿所述第二导热层。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导热层的材料为多晶硅或非晶硅。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导热层的厚度为500埃至2000埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于顶层半导体层表面、且沿绝缘材料层指向第二介质层的方向上，所述互连结构包括分立的N层导电层，N≥2，还包括位于第N-1层导电层与第N层导电层之间的第N导电插塞，其中，所述第N导电插塞将第N-1层导电层与第N层导电层电连接，所述通孔底部暴露出N层导电层中的任一导电层表面。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔还贯穿所述第一导热层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在平行于顶层半导体层表面方向上，所述通孔两侧的第一导热层的宽度大于等于0.1微米。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层包括至少一层子介质层；还包括，位于所述绝缘材料层背面上、且与底层导电插塞电连接的衬垫层。