[发明专利]半导体封装件和制造该半导体封装件的方法有效
| 申请号: | 201510566385.2 | 申请日: | 2015-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN105185756B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
| 发明(设计)人: | 马慧舒 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/373;H01L23/552;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 尹淑梅 |
| 地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 制造 方法 | ||
技术领域
本发明的示例性实施例涉及半导体封装领域,具体地讲,涉及一种半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。
背景技术
目前,在半导体封装件中,由于半导体封装件内的各元件的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)不同,因此会导致该半导体封装件发生翘曲现象,继而影响后续的基板的贴装工艺和切割工艺。例如,当利用诸如环氧树脂的包封材料在基板上对半导体芯片进行包封时,会因包封材料的热膨胀和收缩而导致半导体封装件发生翘曲。
图1是示出了根据现有技术的半导体封装件的示意性剖视图,图2是示出了根据现有技术的半导体封装件的另一示意性剖视图。
参照图1和图2,根据现有技术的半导体封装件100包括基板110、设置在基板110上的芯片120、设置在基板110上并包封芯片120的包封层130以及形成在基板的与形成芯片的表面背对的表面上的焊球140。芯片120可以通过键合引线(如图1所示)或凸块(如图2所示)电连接到基板110。在形成包封层130时,通常会在相对高的温度下进行固化,从而导致在该固化工艺过程中实际上将基板110和芯片120加热至该温度下。在这样的温度下,热膨胀系数不同的基板110、芯片120和包封层130彼此结合,因此在温度降至室温时,包封层130的收缩会导致基板110沿其上安装了芯片的表面凹进的方向的翘曲,或者会导致基板110沿其上安装了芯片的表面凸起的方向的翘曲。此外,由于芯片120被较厚的包封层130包封,从而对半导体封装件100的散热产生不利影响。
此外,随着半导体封装件的日渐轻薄化,对于高密度、高频率的半导体封装件的翘曲和散热问题更为严重。因此,需要一种新的翘曲解决方案。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明的示例性实施例的目的在于提供一种改进的半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。
根据本发明的一方面,提供了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:基板;至少一个芯片,设置在基板上;包封层,设置在基板上并包封至少一个芯片;导电弹性层,设置在基板的除包封层所占的区域之外的区域上并与包封层的至少一部分接触。
根据本发明的示例性实施例,导电弹性层可以包括能够固化的弹性石墨材料。
根据本发明的示例性实施例,包封层可以包括环氧树脂。
根据本发明的示例性实施例,导电弹性层可以与包封层的侧壁接触。
根据本发明的示例性实施例,导电弹性层可以包覆包封层。
根据本发明的示例性实施例,导电弹性层可以位于基板的接地端所处的区域上。
根据本发明的示例性实施例,芯片可以通过键合引线或凸块电连接到基板。
根据本发明的另一方面,提供了一种制造半导体封装件的方法,所述方法包括:将至少一个芯片设置在基板上;在基板上形成包封层以包封芯片,在基板的除包封层所占的区域之外的区域上形成与包封层的至少一部分接触的导电弹性层。
根据本发明的示例性实施例,导电弹性层可以包括能够固化的弹性石墨材料。
根据本发明的示例性实施例,包封层可以包括环氧树脂。
如上所述,在本发明的半导体封装件中,通过利用导电弹性层代替诸如环氧树脂的包封层的一部分,从而能够降低半导体封装件的整体翘曲。另外,由于导电弹性层具有高的散热特性,从而改善了半导体封装件的散热性。此外,由于将导电弹性层设置在基板的接地端所处的区域上,从而能够改善半导体封装件的电磁屏蔽性能。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述,这些和/或其它方面将变得清楚且更容易理解,在附图中:
图1是示出了根据现有技术的半导体封装件的示意性剖视图;
图2是示出了根据现有技术的半导体封装件的另一示意性剖视图;
图3是示出了根据本发明的示例性实施例的半导体封装件的结构示意图;
图4是示出了根据本发明的另一示例性实施例的半导体封装件的结构示意图;
图5A至图5D是示出了根据本发明的示例性实施例的制造半导体封装件的方法的剖视图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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