[发明专利]一种圆片级封装结构及其工艺方法

说明书

本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法，所述结构包括基板（1），所述基板（1）正面倒装有芯片（2），所述芯片（2）正面设置有金属凸点（3），所述金属凸点（3）与基板（1）之间通过锡球（4）相连接，所述芯片（2）正面与基板（1）之间设置有底部填充胶（5），所述芯片（2）背面包封有塑封料（6），所述基板（1）背面电镀有金属层（7）。本发明一种圆片级封装结构及其工艺方法，圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应，实现整片圆片倒装于引线框，再进行圆片的切割分离以及封装，实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。

技术领域

本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

现有的圆片级封装，先对圆片进行划片，将完成划片后分离的芯片正面粘贴在载板上，再对载板粘贴芯片的一侧进行塑封，去除载板，露出芯片正面，对芯片正面电极进行Fanout 重布线制作金属线路与产品电性的输出。圆片划片后单颗芯片排列粘贴在载板上进行包封、制作Fanout金属线路，一方面芯片排列对位的效率低，而且分离芯片排列对位容易产生位移偏差，这将造成后续芯片正面Fanout金属线路的偏移；由于圆片Fanout封装在封装厂进行，但是对于封装厂进行Fanout工艺涉及的密间距线路制作，难度比较高，容易出现线路短路、线路剥离的问题，良率偏低。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种圆片级封装结构及其工艺方法，圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应，实现整片圆片倒装于引线框，再进行圆片的切割分离以及封装，实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。

本发明的目的是这样实现的：一种圆片级封装结构，它包括基板，所述基板正面倒装有芯片，所述芯片正面设置有金属凸点，所述金属凸点与基板之间通过锡球相连接，所述芯片正面与基板之间设置有底部填充胶，所述芯片背面包封有塑封料，所述基板背面电镀有金属层。

一种圆片级封装结构的工艺方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一圆片，圆片正面线路设计完全对应于引线框图面，单颗芯片尺寸等同于封装尺寸；

步骤二、在圆片正面电极上制作金属凸点；

步骤三、在金属凸点上制作锡球；

步骤四、圆片通过金属凸点上的锡球倒装于基板，基板单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸；

步骤五、将完成倒装的圆片与基板放入回流焊设备进行回流焊；

步骤六、对完成回流焊的产品进行正面切割，切至基板正面，切穿圆片；

步骤七、对完成圆片切割的切割槽内注入底部填充胶，利用毛细现象填充芯片与基板之间空白区；

步骤八、对完成底部填充胶填充后的产品进行塑封；

步骤九、对完成塑封后的产品进行基板背面电镀；

步骤十、对完成电镀的产品进行切割，分离单个产品。

所述圆片正面线路可以根据引线框图面进行Fanout设计；

所述引线框图面可以根据圆片正面线路进行匹配设计。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

1、芯片重布线制作与封装分别由各自擅长的晶圆FAB厂与封装厂完成，产品良率比较高；

2、引线框单颗Unit尺寸等同于单独的芯片尺寸，不仅最大化地利用了金属引线框，而且可以缩小产品尺寸，提高引线框的利用率，降低材料成本；

3、整片圆片一次倒装完成、大大提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明