[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

堆叠电容结构，包括：

第一内金属层，包括第一衬垫区，邻近该第一内金属层的一边缘，该第一衬垫区具有多个衬垫；

第一绝缘层，设置于该第一内金属层上且暴露该第一衬垫区；

第二内金属层，设置于该第一绝缘层上，该第二内金属层包括一第二衬垫区邻近该第二内金属层的一边缘，该第二衬垫区具有多个衬垫；

第二绝缘层，设置于该第二内金属层上且暴露该第二衬垫区；以及

第三内金属层，覆盖该第二内金属层，该第三内金属层包括至少一第一狭缝区，该第一狭缝区对应于该第二衬垫区，使该第二衬垫区上的衬垫裸露，

其中该第二内金属层覆盖该第一内金属层，且该第二内金属层包括第二狭缝区，该第二狭缝区对应于该第一衬垫区，使该第一衬垫区上的衬垫裸露。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第三内金属层包括第三衬垫区，且该第三衬垫区具有多个衬垫。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第二狭缝区对应于该第一狭缝区，使该第一衬垫区上的衬垫裸露。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一衬垫区、该第二衬垫区与该第三衬垫区为共平面。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一外金属层；

第二外金属层，面对该第一外金属层；及

第一介电结构与第二介电结构，设置于该第一外金属层与该第二外金属层之间；

其中该堆叠电容结构设置于该第一介电结构与该第二介电结构之间。

6.如权利要求5所述的半导体结构，还包括：

至少一第一灌孔，连接该第一衬垫区的衬垫与该第二外金属层；及

至少一第二灌孔，连接该第二衬垫区的衬垫与该第二外金属层。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一介电结构与该第二介电结构包括氮、氧、碳或其他具有低介电常数的材料。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一绝缘层与该第二绝缘层包括二氧化铪、氧化铝或其他具有高介电常数的材料。

9.一种半导体结构，包括：

堆叠电容结构，包括：

第一内金属层，包括第一衬垫区，邻近该第一内金属层的一边缘，该第一衬垫区具有多个衬垫；

第一绝缘层，设置于该第一内金属层上且暴露该第一衬垫区；

第二内金属层，设置于该第一绝缘层上，该第二内金属层包括第二衬垫区，邻近该第二内金属层的一边缘，该第二衬垫区具有多个衬垫；

第二绝缘层，设置于该第二内金属层上且暴露该第二衬垫区；

第三内金属层，设置于该第二绝缘层上，该第三内金属层包括第三衬垫区与至少一第一狭缝区，该第三衬垫区邻近该第三内金属层的一边缘，该第一狭缝区对应于该第一衬垫区或该第二衬垫区，使该第一衬垫区或该第二衬垫区上的衬垫裸露；

第三绝缘层，设置于该第三内金属层上且暴露该第三衬垫区；以及

第四内金属层，设置于该第三绝缘层上，其中该第四内金属层覆盖该第二内金属层且包括第二狭缝区，该第二狭缝区对应于该第二衬垫区，使该第二衬垫区上的衬垫裸露。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一衬垫区、该第二衬垫区与该第三衬垫区为共平面。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第四内金属层包括第四衬垫区，且该第四衬垫区具有多个衬垫。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第三内金属层覆盖该第一内金属层且该第一狭缝区对应于该第一衬垫区，使该第一衬垫区上的衬垫裸露。

13.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第三内金属层覆盖该第二内金属层且该第一狭缝区对应于该第二衬垫区，使该第二衬垫区上的衬垫裸露。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中该第四内金属层覆盖该第三内金属层且包括至少一第二狭缝区，该第二狭缝区对应于该第三衬垫区，使该第三衬垫区上的衬垫裸露。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中第四内金属层还包括另一第二狭缝区，该另一第二狭缝区对应于该第一狭缝区，使该第二衬垫区上的衬垫裸露。