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[发明专利] 影像感测器像素结构 -CN201510453692.X 有效
发明人：
周志飚 吴少慧 ;古其发 ;林震宾 ;吴俊元 ;许家福
- 专利权人：
联华电子股份有限公司
申请日：
2015-07-29
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公布日：
2020-05-12
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主分类号：
H01L27/146 文献下载
摘要： 本发明公开一种影像感测器像素结构，其为背照式影像感测器像素结构，包含有一基底、一形成于该基底内的感光元件、二个氧化物半导体场效晶体管(oxide‑semiconductor field effect transistor，OS FET)元件、以及一电容。该基底包含有一正面与一背面，而该感光元件即用以接收一穿过该基底的该背面的入射光。该二个OS FET元件设置于该基底的该正面上，且直接设置于该感光元件上。该电容设置于该基底的该正面上，且直接设置于该感光元件与该二个OS FET元件上。该二个OS FET元件与该感光元件重叠，而该电容与该感光元件以及该二个OS FET元件重叠。影像 感测器 像素 结构
[发明专利] 半导体结构 -CN201410247121.6 有效
发明人：
周志飚 吴少慧 ;古其发
- 专利权人：
联华电子股份有限公司
申请日：
2014-06-05
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公布日：
2018-03-23
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主分类号：
H01L23/64 文献下载
摘要： 本发明公开一种半导体结构，包括一堆叠电容结构。堆叠电容结构包括一第一内金属层、一第一绝缘层、一第二内金属层、一第二绝缘层及一第三内金属层。第一内金属层包括一第一衬垫区邻近第一内金属层的一边缘。第一绝缘层设置于第一内金属层上且暴露第一衬垫区。第二内金属层设置于第一绝缘层上，第二内金属层包括一第二衬垫区邻近第二内金属层的一边缘。第二绝缘层设置于第二内金属层上且暴露第二衬垫区。第一衬垫区与第二衬垫区具有多个衬垫。第三内金属层覆盖第二内金属层，且包括至少一第一狭缝区。第一狭缝区对应于第二衬垫区，使第二衬垫区上的衬垫裸露。半导体 结构
