[发明专利]陶瓷布线基板、半导体装置、及陶瓷布线基板的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷布线基板，包括：

基板，使含有选自Al、及Si中的至少1种的陶瓷的前体烧结而以板状形成；

上下导通孔，在所述基板烧结后，贯穿该基板的厚度方向而形成；

上下导通体，其填充在所述上下导通孔中，包含含有选自Cu、Ag、及Au中的至少1种低电阻金属、和选自W、及Mo中的至少1种高熔点金属的复合材料；及

中间层，其在所述上下导通体与基板之间，将所述两者之间隔开而配设，包含选自Mo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、及Hf中的至少1种。

2.根据权利要求1所述的陶瓷布线基板，其中，

所述中间层的厚度为0.1μm以上。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷布线基板，其中，

所述基板在至少一个平面上具备焊料层，

所述焊料层的厚度为8μm以下，

所述上下导通体中的所述低电阻金属的比例为50％以下。

4.一种半导体装置，其特征在于，

在所述权利要求1至3中任一项所述的陶瓷布线基板上搭载有半导体元件。

5.一种陶瓷布线基板的制造方法，是权利要求1至3中任一项所述的陶瓷布线基板的制造方法，其包括：

使成为形成所述基板的陶瓷的母材的前体的板体烧结而形成该基板的工序、

沿所述基板的厚度方向贯穿而形成上下导通孔的工序、

在所述上下导通孔的内面形成包含选自所述Mo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、及Hf中的至少1种的所述中间层的工序；

向所述上下导通孔内，填充含有选自所述W、及Mo中的至少1种高熔点金属的粉末的糊状物，使该粉末烧结，形成包含所述高熔点金属的多孔结构体的工序；及

向所述多孔结构体中，熔渗所述选自Cu、Ag、及Au中的至少1种低电阻金属而形成所述上下导通体的工序。