[发明专利]用于芯片卡的半导体壳体

说明书

免接触的芯片卡壳体在新的壳体平台上开发。该壳体平台在制造中是明显低成有利的。该壳体平台也被已知为CoCIS。该缩写表示Coil on Chip In Substrate(衬底中芯片上线圈)。在此，壳体由衬底构成，例如带有连续的线圈形式的双面金属化部的聚酰亚胺带，所述双面金属化部用作天线。在此，在上侧上以FCOS技术固定芯片一FCOS表示Flip Chip On Substrate(衬底上倒装芯片)。然后该壳体在卡片制造商处以多层技术垂直地和居中地层压到芯片卡中。壳体和卡片天线之间的信号耦合在此借助于壳体的天线和芯片卡的天线无接触地进行。在此，芯片卡制造时的决定性的质量特征是，壳体在芯片卡中的装入位置尤其是出于安全相关的原因是不可见的，并且卡片表面为了稍后的后处理(压印步骤等)是尽可能平坦的。为了实现这一点，如今CoCIS壳体被装入在双层的核心层中。所述CoCIS壳体优选至少部分地由材料聚碳酸脂构成。在此，用于芯片的空隙位于上层中，用于衬底、也就是芯片载体的空隙位于下层中。在此，总厚度略大于待实施的壳体的厚度。因此在层压期间，这些空隙应该被填充以壳体和核心层的材料并且因此形成平坦的卡片表面。然而这只是视情况而定是这种情况。此外，卡体映现在卡片表面上并且因此也形成不平坦的表面。

本发明的任务现在在于，提供一种壳体，通过该壳体在集成到芯片卡中以后形成芯片卡的平坦表面。

该任务通过独立权利要求1的半导体壳体得以解决。从属权利要求说明本发明的有利扩展方案。

在一种实施方式中，半导体壳体具有带有正面并带有芯片和第一金属化部的衬底以及与衬底的正面相对的带有第二金属化部的背面，其中第一补偿层被施加在半导体壳体的正面上。壳体上的补偿层作用于正面，使得CoCIS半导体壳体的形貌被显著减小并且因此显示出平坦和紧凑的半导体壳体结构。由此在壳体被集成在芯片卡中以后，可以实现平坦的卡片表面。

在一种实施方式中，半导体壳体具有厚度为D1的第一补偿层，其中该厚度D1被这样调节，使得芯片的上侧构成与补偿层平齐的面。这所提供的优点是，半导体壳体具有特别平坦和紧凑的半导体壳体结构。因此在半导体壳体被集成在芯片卡中以后，可以实现特别平坦的卡片表面。因此，半导体壳体在芯片卡体中由于缺少表面不平坦性而不再能被看到。

在另一种实施方式中，半导体壳体在其背面具有第二补偿层。这所提供的优点是，稍后要准备的用于齐平地嵌入到芯片卡中的补偿体积被显著减小，并且因此可以例如替代于两层的核心层使用一层的核心层。

在一种实施方式中，半导体壳体在其背面具有第二补偿层，其中第二补偿层具有厚度D2，该厚度被这样调节，使得第二金属化部构成与第二补偿层平齐的面。这所提供的优点是，稍后要准备的用于齐平地嵌入到芯片卡中的补偿体积被显著减小，并且因此可以例如替代于两层的核心层使用一层的核心层，并且由此可以实现芯片卡的特别平坦的卡片表面。

在一种实施方式中，半导体壳体具有无接触的芯片卡壳体，其中第一和第二金属化部被以连续的线圈形式构造，并且其中芯片以FCOS技术固定。这所提供的优点是，可以实现特别紧凑、稳健和低成本的半导体壳体。

附图说明

图1示出层压入核心层中的半导体壳体。半导体壳体的结构清楚地映现在卡体的表面处。

图2原理性地示出在分开之前在半导体壳体的两侧上层压补偿层，所述补偿层布置在长的带子上。

图3示出半导体壳体与在该半导体壳体的正面和背面上层压的补偿层。

图4示出半导体壳体与层压入带有天线的卡体中的层压的补偿层。

图5示出半导体壳体与层压入卡体中的层压的补偿层的另一种实施方式。

具体实施方式

接下来参照附图详细阐述本发明的实施例。然而本发明不限于具体说明的实施方式，而是可以被以合适的方式修改和改变。在本发明的范围内的是，将一种实施方式的单个特征和特征组合与另一种实施方式的特征和特征组合进行适当地组合，以便实现其他的依据本发明的实施方式。

在接下来根据附图详细阐述本发明的实施例之前，要指出的是，相同的元件在附图中配备有相同或者相似的附图标记并且对该元件的重复说明被省略。此外附图不一定是比例正确的。更确切地，重点在于对基本原理的阐述。

图1示出从现有技术已知的半导体壳体200。该半导体壳体200具有芯片50并且层压入核心层100中，所述核心层形成卡体。半导体壳体10的结构清楚地映现在卡体100的表面处。