[发明专利]半导体芯片和具有半导体芯片的半导体封装体在审
| 申请号： | 201310384376.2 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681551A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李承烨 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/552;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 具有 封装 | ||
1.一种半导体芯片，包括：
半导体基板，具有一个表面、背对该一个表面的另一表面、以及形成在该一个表面上的集成电路；以及
屏蔽层，形成在该半导体基板中，以对应于该另一表面。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括：
第一穿透电极，穿透该半导体基板和该屏蔽层且与该集成电路电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，
其中该半导体基板分成核心区域和周边区域，该集成电路设置于该核心区域中，该周边区域限定在该核心区域之外，并且
其中该第一穿透电极形成在该核心区域中。
4.根据权利要求2所述的半导体芯片，还包括：
使该第一穿透电极与该屏蔽层彼此电隔离的电介质层。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括：
第二穿透电极，穿透该半导体基板和该屏蔽层且与该屏蔽层电连接。
6.根据权利要求5所述的半导体芯片，
其中该半导体基板分成核心区域和周边区域，该集成电路设置在该核心区域中，该周边区域限定在该核心区域之外，并且
其中该第二穿透电极形成在该周边区域中。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中多个该第二穿透电极沿着该核心区域的边缘形成。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中该屏蔽层形成为与该半导体基板的该另一表面分离预定距离。
9.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中该屏蔽层形成为暴露在该半导体基板的该另一表面上。
10.一种包括半导体芯片的半导体封装体，该半导体芯片包括：
半导体基板，具有一个表面、背对该一个表面的另一表面、以及形成在该一个表面上的集成电路；以及
屏蔽层，形成在该半导体基板中，以对应于该另一表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310384376.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
