[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有侧面走线的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

传统堆迭式半导体结构通常以焊球作为直接连接上、下基板的电性连结元件。然而，焊球的尺寸通常较大，当相邻二焊球的间距缩小时，特别容易因为上、下基板的变形导致相邻二焊球桥接(bridge)而电性短路。碍于焊球的尺寸限制，如此反而导致相邻二焊球的间距难以符合细间距（fine pitch）规格。

发明内容

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，半导体封装件符合细间距规格。

根据本发明，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一上基板、一下基板、一第一封装体、一第一走线及一保护层。上基板具有一外侧面。下基板具有一上表面及一外侧面，下基板的上表面与上基板相对且下基板的外侧面突出超过上基板的外侧面。第一封装体形成于上基板与下基板之间，且具有一外侧面，第一封装体的外侧面从上基板往下基板的方向外扩地倾斜。第一走线形成于第一封装体的外侧面且电性连接上基板与下基板。保护层覆盖第一封装体的外侧面及第一走线。

根据本发明，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一上基板；提供一下基板；形成一封装体于上基板与下基板之间；形成一第一切割道经过上基板、第一封装体与下基板，使封装体形成一外侧面，其中封装体的外侧面从上基板往下基板的方向外扩地倾斜；形成一走线于封装体的外侧面上，其中走线电性连接上基板与下基板；形成一保护层覆盖走线及封装体的外侧面；形成一第二切割道至少经过保护层。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的外观图。

图1B绘示图1A中沿方向1B-1B’的剖视图。

图1C绘示图1B的俯视图。

图2，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图3绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图5绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图6绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图7，其绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图8A至8F绘示图1B的半导体封装件的制造过程图。

图9A至9C绘示图2的半导体封装件的制造过程图。

图10A至10E绘示图4的半导体封装件40的制造过程图。

图11绘示图5的半导体封装件的制造过程图。

图12A至12C绘示图6的半导体封装件的制造过程图。

图13A至13D绘示图7的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明：

100、200、300、400、500、600、700：半导体封装件

110：上基板

111：上电性元件

1111、1211：线路层

1113、1213：导电垫

1112、1212：电性凸块

110b：下表面

110s、1111s、1112s、1113s、120s、1211s、1212s、1213s、130s、140s、150s、630s、730s：外侧面

110s2：第二外侧面

120：下基板

120r：凹槽

120u、1212u：上表面

121：下电性元件

125：芯片

1251：电性接点

126：黏合层

130、630：第一封装体

130s1：横向面

130s2：直向面

140、640：第一走线

150：保护层

630r：第一沟槽

730：第二封装体

730r：第二沟槽

740：第二走线

D1：直向进刀

D2：横向进刀

P1：第一切割道

P2：第二切割道

P3：第三切割道

P4：第四切割道

具体实施方式