[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一上基板，具有一外侧面；

一下基板，具有一上表面及一外侧面，该下基板的该上表面与该上基板相对且该下基板的该外侧面突出超过该上基板的该外侧面；

一第一封装体，形成于该上基板与该下基板之间，且具有一外侧面，该第一封装体的该外侧面从该上基板往该下基板的方向外扩地倾斜；

一第一走线，形成于该第一封装体的该外侧面且电性连接该上基板与该下基板；以及

一保护层，覆盖该第一封装体的该外侧面及该第一走线。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装体的该外侧面是一阶梯外侧面。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该第一走线是导电胶。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该阶梯面包括数个横向面，该些横向面承载该第一走线。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装体的该外侧面是曲面或平面。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装体是由激光活化介电材料制成。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该第一走线是电镀线。

8.如权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装体包括：

一第一沟槽，从该第一封装体的该外侧面往该第一封装体内延伸；

其中，该第一走线填入该第一沟槽内。

9.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一第二封装体，覆盖该第一走线且具有一第二沟槽，该第二沟槽从该第二封装体的外侧面往该第二封装体的内部延伸，其中该第二封装体是由激光活化介电材料制成；以及

一第二走线，形成于该第二封装体的该第二沟槽内；

其中，该保护层更覆盖该第二封装体与该第二走线。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该上基板包括一上电性元件，该上电性元件具有一外侧面，该上电性元件的该外侧面从该第一封装体的该外侧面露出，该第一走线沿该第一封装体的该外侧面经由露出的该上电性元件延伸至该下基板。

11.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该下基板包括一下电性元件，该下电性元件具有一上平面，该第一走线从该上基板沿该第一封装体的该外侧面延伸至覆盖该下电性元件的该上平面。

12.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该下基板包括一下电性元件，该下电性元件具有一外侧面，该第一走线覆盖该下电性元件的该外侧面。

13.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该下基板包括一下电性元件，该下电性元件内埋于该下基板，该下基板具有一凹槽，该凹槽露出该下电性元件，该第一走线延伸至覆盖露出的该下电性元件。

14.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该下基板及该保护层各具有一外侧面，该下基板的该外侧面与该保护层的该外侧面对齐。

15.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该下基板具有一第一外侧面及一第二外侧面，该保护层具有一外侧面，该下基板的该第一外侧面相对该第二外侧面内缩，该下基板的该第二外侧面该保护层的该外侧面对齐。

16.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该下基板具有一外侧面，该保护层覆盖该下基板的整个该外侧面。

17.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一上基板；

提供一下基板；

形成一封装体于该上基板与该下基板之间；

形成一第一切割道经过该上基板、该封装体与该下基板，使该封装体形成一外侧面，其中该封装体的该外侧面从该上基板往该下基板的方向外扩地倾斜；

形成一走线于该封装体的该外侧面上，其中该走线电性连接该上基板与该下基板；

形成一保护层覆盖该走线及该封装体的该外侧面；

形成一第二切割道至少经过该保护层。