[发明专利]芯片结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种芯片结构及制作方法；特别关于一种芯片结构及芯片结构的制作方法。

背景技术

在高度情报化社会的今日，集成电路封装技术需配合电子装置的数字化、网路化、区域连接化以及使用人性化的趋势发展。现有芯片封装的制作流程一般是先于芯片上形成一第一介电层，再于第一介电层上形成一图案化线路，用以作为芯片上接垫的重配置线路层（redistribution layer，RDL），接着再将第二介电层配置于第一介电层上，使图案化线路位于第一介电层与第二介电层之间，以将芯片上的接垫位置进行重配置。然而，由于介电层与重配置线路层之间的接合性不佳，且热膨胀系数（Coefficient of Thermal Expansion，CTE）亦不同，使得在热循环（Thermal Cycle）的过程中常会出现第二介电层与重配置线路层及第一介电层剥离的现象，进而影响封装的良率与信赖性。

发明内容

本发明提供一种芯片结构，其介电层之间的接合性较高。

本发明提供一种芯片结构的制作方法，其可提高介电层之间的接合性。

本发明提出一种芯片结构，其包括一芯片、一重配置线路层、一第一图案化绝缘层以及一第二图案化绝缘层。芯片包括一基材、一接垫以及一保护层。接垫配置于基材上。保护层覆盖基材并暴露出接垫。第一图案化绝缘层配置于保护层上且具有一第一开口。第一开口暴露出部分接垫。重配置线路层配置于第一图案化绝缘层上。重配置线路层包括一接垫部以及一导线部。接垫部位于第一图案化绝缘层上并具有多个彼此独立的第二开口。第二开口位于接垫部的周围且暴露第一图案化绝缘层。导线部连接接垫部并延伸至第一开口内，以与接垫连接。第二图案化绝缘层设置于第一图案化绝缘层上且覆盖导线部以及接垫部的周围，并延伸至第二开口内以与第一图案化绝缘层连接。第二图案化绝缘层暴露部份接垫部。

本发明提出一种芯片结构的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一芯片。芯片包括一基材、一接垫以及一保护层。接垫于配置于基材上。保护层覆盖基材并暴露出接垫。接着，形成一第一图案化绝缘层于保护层上。第一图案化绝缘层具有一第一开口。第一开口暴露出部分接垫。接着，形成一图案化光阻层于第一图案化绝缘层上。图案化光阻层具有多个彼此独立的柱状光阻以及一图案化开口。图案化开口暴露第一图案化绝缘层以及接垫且包括一接垫图案开口以及一导线图案开口。接垫图案开口位于第一图案化绝缘层上，柱状光阻位于接垫图案开口的周围。导线图案开口连接接垫图案开口并延伸至第一开口。之后，形成一导电层于图案化开口内。接着，移除图案化光阻层，以形成一重配置线路层于第一图案化绝缘层上。重配置线路层对应图案化开口包括一接垫部、一导线部以及对应柱状光阻的多个彼此独立的第二开口。第二开口位于接垫部的周围而暴露第一图案化绝缘层。导线部连接接垫部并延伸至第一开口内，以与接垫连接。之后，形成一第二图案化绝缘层于第一图案化绝缘层以及部份重配置线路层上。第二图案化绝缘层延伸至第二开口内以连接至第一图案化绝缘层并暴露部份接垫部。

在本发明的一实施例中，所述的接垫部呈圆形，而第二开口分别呈弧形而共同环绕于接垫部的周围。

在本发明的一实施例中，所述的芯片结构更包括一球底金属（Under Bump Metallurgic，UBM）层，配置于重配置线路层下方，并位于重配置线路层与第一图案化绝缘层以及接垫之间。

在本发明的一实施例中，所述的球底金属层更包括多个彼此独立的第三开口。第三开口位于第二开口的下方并分别连通第二开口。第二图案化绝缘层延伸填充于第三开口以连接至第一图案化绝缘层。

在本发明的一实施例中，所述的接垫的材料包括铝。

在本发明的一实施例中，所述的重配置线路层的材料包括铜。

在本发明的一实施例中，所述的芯片结构的制作方法更包括下列步骤：在形成图案化光阻层之前，形成一球底金属层于第一图案化绝缘层上。球底金属层覆盖第一图案化绝缘层以及接垫。移除图案化光阻层后，移除球底金属层未被重配置线路层覆盖的部份。

在本发明的一实施例中，所述的形成球底金属层于第一图案化绝缘层上的方法包括溅镀。

在本发明的一实施例中，所述的移除球底金属层未被重配置线路层覆盖的部份的方法包括蚀刻。

在本发明的一实施例中，所述的形成导电层于图案化开口内的方法包括电镀。