[发明专利]芯片结构及其制作方法在审
申请号: | 201310336798.2 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN104078442A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 林耀宗 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种芯片结构,包括:
一芯片,包括一基材、一接垫以及一保护层,该接垫配置于该基材上,该保护层覆盖该基材并暴露出该接垫;
一第一图案化绝缘层,配置于该保护层上且具有一第一开口,该第一开口暴露出部分该接垫;
一重配置线路层,配置于该第一图案化绝缘层上,该重配置线路层包括一接垫部以及一导线部,该接垫部位于该第一图案化绝缘层上并具有多个彼此独立的第二开口,所述多个第二开口位于该接垫部的周围且暴露该第一图案化绝缘层,该导线部连接该接垫部并延伸至该第一开口内,以与该接垫连接;以及
一第二图案化绝缘层,设置于该第一图案化绝缘层上且覆盖该导线部以及该接垫部的周围,并延伸至所述多个第二开口内以与该第一图案化绝缘层连接,该第二图案化绝缘层暴露部份该接垫部。
2.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,该接垫部呈圆形,所述多个第二开口分别呈弧形而共同环绕于该接垫部的周围。
3.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,更包括一球底金属层,配置于该重配置线路层下方,并位于该重配置线路层与该第一图案化绝缘层以及该接垫之间。
4.根据权利要求3所述的芯片结构,其特征在于,该球底金属层更包括多个彼此独立的第三开口,所述多个第三开口位于所述多个第二开口的下方并分别连通所述多个第二开口,该第二图案化绝缘层延伸填充于所述多个第三开口以连接至该第一图案化绝缘层。
5.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,该接垫的材料包括铝。
6.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,该重配置线路层的材料包括铜。
7.一种芯片结构的制作方法,包括:
提供一芯片,该芯片包括一基材、一接垫以及一保护层,该接垫于配置于该基材上,该保护层覆盖该基材并暴露出该接垫;
形成一第一图案化绝缘层于该保护层上,该第一图案化绝缘层具有一第一开口,该第一开口暴露出部分该接垫;
形成一图案化光阻层于该第一图案化绝缘层上,该图案化光阻层具有多个彼此独立的柱状光阻以及一图案化开口,该图案化开口暴露该第一图案化绝缘层以及该接垫且包括一接垫图案开口以及一导线图案开口,该接垫图案开口位于该第一图案化绝缘层上,所述多个柱状光阻位于该接垫图案开口的周围,该导线图案开口连接该接垫图案开口并延伸至该第一开口内;
电镀形成一导电层于该图案化开口内;
移除该图案化光阻层,以形成一重配置线路层于该第一图案化绝缘层上,该重配置线路层对应该图案化开口包括一接垫部、一导线部以及对应所述多个柱状光阻的多个彼此独立的第二开口,所述多个第二开口位于该接垫部的周围而暴露该第一图案化绝缘层,该导线部连接该接垫部并延伸至该第一开口内,以与该接垫连接;以及
形成一第二图案化绝缘层于该第一图案化绝缘层以及部份该重配置线路层上,该第二图案化绝缘层延伸至所述多个第二开口内以连接至该第一图案化绝缘层并暴露部份该接垫部。
8.根据权利要求7所述的芯片结构的制作方法,其特征在于,该接垫部呈圆形,所述多个第二开口分别呈弧形而共同环绕于该接垫的周围。
9.根据权利要求7所述的芯片结构的制作方法,其特征在于,更包括:
在形成该图案化光阻层之前,形成一球底金属层于该第一图案化绝缘层上,该球底金属层覆盖该第一图案化绝缘层以及该接垫;以及
移除该图案化光阻层后,移除该球底金属层未被该重配置线路层覆盖的部份。
10.根据权利要求9所述的芯片结构的制作方法,其特征在于,形成该球底金属层于该第一图案化绝缘层上的方法包括溅镀。
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