[发明专利]多芯片扇出型封装及其形成方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

管芯，包括位于所述管芯的顶面的导电焊盘；

柱状凸块，位于所述导电焊盘上方并与所述导电焊盘连接；

再分布线，位于所述柱状凸块上方并与所述柱状凸块连接；以及

电连接件，位于所述再分布线上方并与所述再分布线电耦合。

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括围绕所述管芯并与所述管芯的侧壁接触的聚合物，所述聚合物的底面基本上与所述管芯的底面平齐。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述再分布线延伸到所述管芯的边缘外以与所述聚合物重叠。

4.根据权利要求2所述的器件，进一步包括：

位于所述管芯中的半导体衬底；以及

介电层，所述柱状凸块位于所述介电层中，所述介电层和所述聚合物包括不同的材料，并且所述介电层的边缘与所述半导体衬底的对应边缘对准。

5.根据权利要求2所述的器件，其中，所述聚合物包括与所述管芯重叠的部分，并且所述聚合物的该部分围绕并接触所述柱状凸块。

6.一种器件，包括：

第一管芯，包括：

半导体衬底；和

位于所述第一管芯的顶面的第一导电焊盘；

第一柱状凸块，位于所述第一导电焊盘上方并与所述第一导电焊盘连接；

聚合物，围绕所述第一管芯并与所述第一管芯的侧壁接触，其中，所述聚合物的底面基本上与所述半导体衬底的底面平齐，并且所述聚合物的顶面基本上与所述第一柱状凸块的顶面平齐；以及

第一再分布线，位于所述第一柱状凸块上方并与所述第一柱状凸块连接。

7.根据权利要求6所述的器件，进一步包括与所述第一管芯重叠的介电层，所述第一柱状凸块位于所述介电层中，所述介电层和所述聚合物包括不同的材料，并且所述介电层的边缘与所述半导体衬底的对应边缘对准。

8.根据权利要求7所述的器件，进一步包括：

被所述聚合物围绕的第二管芯，所述第二管芯包括：

第二衬底；和

位于所述第二管芯的顶面的第二导电焊盘；以及

第二柱状凸块，位于所述第二导电焊盘上方并与所述第二导电焊盘连接，所述聚合物包括与所述第二管芯重叠的部分，并且所述聚合物的该部分围绕并接触所述第二柱状凸块。

9.一种方法，包括：

将管芯放置在载具上方，所述管芯包括：

衬底；

位于所述衬底上方的导电焊盘；和

位于所述导电焊盘上方并与所述导电焊盘电连接的柱状凸块；

涂覆聚合物以覆盖所述管芯，其中所述聚合物围绕所述管芯；

去除所述聚合物与所述管芯重叠的部分以露出所述柱状凸块；以及

在所述柱状凸块的上方形成再分布线，其中所述再分布线通过所述柱状凸块电连接至所述导电焊盘。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在涂覆所述聚合物的步骤之后执行形成所述再分布线的步骤，所述再分布线包括位于所述管芯上方的第一部分以及位于所述聚合物上方的第二部分。