[发明专利]半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法

权利要求书

1.一种双层结构半导体芯片，该半导体芯片包括：

第一半导体芯片，包括具有第一底表面的第一基板；以及

第二半导体芯片，包括具有第二底表面的第二基板，

其中该第一底表面直接接触该第二底表面。

2.权利要求1的半导体芯片，其中该第一基板和该第二基板的每个包括硅基板。

3.权利要求1的半导体芯片，还包括穿透该第一半导体芯片和该第二半导体芯片的贯穿电极，

其中该贯穿电极将该第一半导体芯片电连接到该第二半导体芯片。

4.权利要求3的半导体芯片，还包括：

第一突起，设置在第一有源层上，该第一有源层设置在该第一半导体芯片的第一顶表面上，其中该第一突起覆盖该贯穿电极的第一端；以及

第二突起，设置在第二有源层上，该第二有源层设置在该第二半导体芯片的第二顶表面上，该第二突起覆盖该贯穿电极的第二端。

5.权利要求4的半导体芯片，还包括：

再分布层，设置在该第一有源层和该第二有源层中的一个有源层上并连接到该贯穿电极；以及

突起，设置在该第一有源层和该第二有源层中的另一有源层上并连接到该贯穿电极。

6.权利要求4的半导体芯片，还包括：

再分布层，设置在该第一有源层和该第二有源层中的至少一个有源层上并连接到该贯穿电极；以及

该再分布层上的衬垫。

7.权利要求1的半导体芯片，其中该第一半导体芯片和该第二半导体芯片的每个是晶片级芯片。

8.一种制造双层结构半导体芯片的方法，该方法包括：

提供第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括第一基板和第一有源层，该第一基板具有彼此相反的第一顶表面和第一底表面，该第一有源层设置在该第一顶表面上；

提供第二半导体芯片，该第二半导体芯片包括第二基板和第二有源层，该第二基板具有彼此相反的第二顶表面和第二底表面的，该第二有源层设置在该第二顶表面上；

将该第一半导体芯片接合到该第二半导体芯片使得该第一底表面直接接触该第二底表面；以及

将该第一半导体芯片电连接到该第二半导体芯片。

9.权利要求8的方法，其中将该第一半导体芯片接合到该第二半导体芯片包括：

活化该第一底表面和该第二底表面；以及

将活化的第一底表面贴附到活化的第二底表面。

10.权利要求9的方法，其中活化该第一底表面和该第二底表面包括辐射等离子体到该第一底表面和该第二底表面上。

11.权利要求9的方法，其中活化该第一底表面和该第二底表面包括对该第一底表面和该第二底表面施加离子碰撞。

12.权利要求9的方法，其中活化该第一底表面和该第二底表面包括辐射自由基到该第一底表面和该第二底表面上。

13.权利要求8的方法，其中将该第一半导体芯片电连接到该第二半导体芯片包括形成穿透该第一半导体芯片和该第二半导体芯片的贯穿电极。

14.权利要求13的方法，其中在执行贴附工艺之后形成穿透该第二半导体芯片的该贯穿电极。

15.权利要求13的方法，还包括在形成该贯穿电极之后，在第一底表面和第二底表面上分别形成第一突起和第二突起，

其中该第一突起形成为覆盖该贯穿电极的第一端，且该第二突起形成为覆盖该贯穿电极的第二端。

16.权利要求14的方法，在形成贯穿电极之后，还包括：

在该第一有源层和该第二有源层中的一个有源层上形成再分布层，该再分布层连接到该贯穿电极；以及

在该第一有源层和该第二有源层中的另一有源层上形成突起，该突起连接到该贯穿电极。

17.权利要求14的方法，还包括：

在该第一有源层和该第二有源层中的至少一个有源层上形成再分布层，该再分布层连接到该贯穿电极；以及

在该再分布层上形成衬垫。