[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构包括：

一基板；

一芯片，设置于所述基板上；

一第一封装胶体，包覆所述芯片；

一第一金属层，形成于所述第一封装胶体上，所述第一金属层具有一天线结构的第一部份，并电性连接于所述芯片；

一第二封装胶体，包覆所述第一金属层；

一第二金属层，形成于所述第二封装胶体上，所述第二金属层具有所述天线结构的第二部份，并电性连接于所述第一金属层；

一第三封装胶体，包覆所述第二金属层；

一第一外露金属层，形成于所述第三封装胶体上，所述第一外露金属层具有所述天线结构的第三部份，并电性连接于所述第二金属层；以及

一第二外露金属层，形成于所述第三封装胶体上，所述第二外露金属层具有所述天线结构的第四部份，并电性连接于所述第二金属层，其中所述第二外露金属层是隔离于所述第一外露金属层，且所述天线结构的第三部份的长度不同于所述天线结构的第四部份的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一封装胶体内还包括一屏蔽层，围绕所述芯片，用于屏蔽所述芯片。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一封装胶体内还包括一接地孔，连接所述第一金属层及所述屏蔽层

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一封装胶体具有一第一导通孔，所述第一导通孔是形成于所述基板与所述第一金属层之间，以连接所述基板与所述第一金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一封装胶体具有一第一导通孔，所述第一导通孔通过所述芯片并到达所述芯片的主动表面，以连接所述主动表面与所述第一金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第二封装胶体具有一第二导通孔，所述第二导通孔是形成于所述第一金属层与所述第二金属层之间，以连接所述第一金属层与所述第二金属层，所述第三封装胶体具有二个第三导通孔，所述第三导通孔是分别形成于所述第二金属层与所述第一外露金属层之间，以及所述第二金属层与所述第二外露金属层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一金属层与所述第二金属层之间具有一部分重叠，所述第一外露金属层及所述第二外露金属层与所述第二金属层之间分别具有一部分重叠。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述天线结构的第三部份的长度是为5毫米~15毫米。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述天线结构的第四部份的长度是为1毫米~5毫米。

10.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括：

提供一基板；

设置芯片于所述基板上；

形成第一封装胶体来包覆所述芯片；

形成第一金属层于所述第一封装胶体上，并电性连接于所述芯片，所述第一金属层具有天线结构的第一部份；

形成第二封装胶体来包覆所述第一金属层；

形成一第二金属层于所述第二封装胶体上，并电性连接于所述第一金属层，所述第二金属层具有所述天线结构的第二部份；

形成一第三封装胶体来包覆所述第二金属层；

形成第一外露金属层及一第二外露金属层于所述第三封装胶体上，且所述第一外露金属层及所述第二外露金属层是分别电性连接于所述第二金属层，所述第一外露金属层及所述第二外露金属层分别具有所述天线结构的第三部份及所述天线结构的第四部份，其中所述第二外露金属层是隔离于所述第一外露金属层，且所述天线结构的第三部份不同于所述天线结构的第四部份的长度。