[发明专利]半导体封装件中的连接结构在审
| 申请号： | 201210337060.3 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103681558A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林长甫;蔡和易;姚进财;何瑞忠;洪静慧 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 中的 连接 结构 | ||
1.一种半导体封装件中的连接结构，该半导体封装件包含一具有连接垫的基板，供该连接结构设于该连接垫上，该连接结构包括：
镍层，其形成于该连接垫上；以及
金属层，其形成于该镍层上，且该金属层为金层、银层、铅层或铜层的其中一者，又该金属层的厚度为0.5至5微米。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，该镍层的厚度为3微米。
3.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，该结构还包括形成于该连接垫与该镍层之间的钛层。
4.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于，该镍层的厚度大于该钛层的厚度。
5.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于，该钛层的厚度为0.3微米。
6.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，该结构还包括形成于该连接垫与该镍层之间的铜层。
7.根据权利要求6所述的连接结构，其特征在于，该镍层的厚度大于该铜层的厚度。
8.根据权利要求6所述的连接结构，其特征在于，该铜层的厚度为0.3微米。
9.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，该结构还包括形成于该连接垫与该镍层之间的钛层、及形成于该钛层与该镍层之间的铜层。
10.根据权利要求9所述的连接结构，其特征在于，该镍层的厚度大于该钛层的厚度，且镍层的厚度也大于该铜层的厚度。
11.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，该结构还包括形成于该金属层上的焊锡材料。
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