[发明专利]半导体封装件、芯层材料、积层材料及密封树脂组合物

说明书

本申请是申请日为2007年12月5日、申请号为200780045057.1、发明名称为“半导体封装件、芯层材料、积层材料及密封树脂组合物”的申请的分案申请。

技术领域

本发明的技术领域，总体为半导体封装件的领域，更具体为，倒装芯片半导体封装件的领域。

背景技术

随着近年来对电子器件更高功能和更小体积的需求的增加，促使电子部件的高度密度集成和高密度安装的不断发展，在这些电子器件中所用的半导体封装件，比以往变得越来越小。

在此情况下，在半导体封装件领域中，现有的使用引线框的形式的封装件在小型化方面具有界限，因而，近年来，提出了在电路基板上安装芯片的表面安装型封装件方式（如球栅阵列封装件（BGA）和芯片尺寸封装件（CSP））。在这些半导体封装件中，在将BGA上安装的半导体芯片与基板连接的方式中，已知有引线接合方式、TAB（带式自动焊接）方式和倒装芯片（FC）方式等，近来提出了大量的采用有利于半导体封装件的小型化的倒装芯片连接方式的BGA和CSP结构。

现有技术中，使用在基板上安装半导体芯片的半导体封装件。作为用于该半导体封装件的基板，使用具有芯层和积层的基板（例如，专利文献1）。

基板和半导体芯片，通常线膨胀系数有差异。基板通过含有有机树脂的材料构成，具有比半导体芯片大的线膨胀系数。因此，在基板上安装半导体芯片的结构的半导体封装件受到热历程时，则由于两者的线膨胀系数的差异产生基板的弯曲。现有技术的半导体封装件中，由于该弯曲的产生，半导体芯片、半导体芯片与凸块的界面、凸块与基板的界面等中，有时会产生裂缝或剥离。

在此基础上，近年来，作为基板使用了具有积层的基板。作为该类基板，现有技术中，使用在芯层上形成积层的基板。由于半导体芯片的时钟频率急速地向高频率发展，在安装半导体芯片的基板中，寻求能够降低电感的基板。具有芯层和积层的基板中，芯层的通孔的感应系数非常大。为了符合感应系数的降低的要求，提出了使用使芯层尽可能变薄的基板的方案。

在此，通常，以降低基板的线膨胀系数的目的设置芯层。因此，在使芯层变薄的情形，由于积层的线膨胀系数大而使基板的线膨胀系数增大。即，存在比以往更加易于在半导体芯片、半导体芯片与凸块的界面、凸块与基板的界面等中产生裂缝或剥离的情形。

但是，在以往的材料的组合中，有没能确实达成防止发生裂缝或剥离的问题。

专利文献1：日本特开2005-191243号公报

发明内容

本发明是考虑上述情形而作出的发明。其目的是，解决现有技术中存在的课题，特别是提供一种能够确实抑制或降低裂缝或剥离的发生提高可靠性的倒装芯片半导体封装件、芯层材料、积层材料和密封树脂组合物。

上述目的，是通过下述的1~15中记载的本发明达成。

1.一种倒装芯片半导体封装件，其是具有电路基板、半导体芯片、密封树脂组合物的固化物的倒装芯片半导体封装件，该电路基板具有芯层和至少一个积层，该半导体芯片通过金属凸块与上述电路基板连接，该密封树脂组合物的固化物是在上述半导体芯片与上述电路基板之间密封的密封树脂组合物的固化物，其特征在于，

上述密封树脂组合物的固化物的25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃以上35ppm/℃以下，

上述积层中的至少一个积层的玻璃化转变温度为170℃以上、25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为25ppm/℃以下。

2.如技术方案1所述的倒装芯片半导体封装件，其中，上述积层中的至少一个积层，是含有纤维基材的积层。

3.如技术方案2所述的倒装芯片半导体封装件，其特征在于，上述含有纤维基材的积层，是最外层的积层。

4.如技术方案2或3所述的倒装芯片半导体封装件，其中，上述积层的纤维基材的厚度是5μm~35μm。

5.如技术方案1~4中任一项所述的倒装芯片半导体封装件，其特征在于，上述密封树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为60℃~130℃。

6.如技术方案1~5中任一项所述的倒装芯片半导体封装件，其特征在于，上述密封树脂组合物，是含有至少一种环氧树脂并且还含有固化剂、硅烷偶联剂和无机填料的密封树脂组合物。

7.如技术方案1~6中任一项所述的倒装芯片半导体封装件，其特征在于，上述密封树脂组合物的粘度是50Pa·sec以下（25℃）。