[发明专利]有机硅半导体封装胶组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机硅半导体封装胶组合物。

背景技术

传统的半导体元件是用环氧树脂封装的，但在使用中会发生黄变，从而使光透性变差，反复使用中环氧树脂易变脆，强度下降。为解决上述问题，又采用有机硅改性环氧树脂组合物、硅胶等作为半导体元件的封装材料，这样提高了耐紫外和热老化性能，但随着半导体元件功率的不断提高，有机硅改性的环氧树脂封装材料仍不能满足半导体元器件的要求,本发明涉及的半导体封装胶原料中引入了苯基较好地解决了上述问题。对于LED灯来说,由于ＧaN芯片具有高的折射率，为了能够有效的减少界面折射带来的光损失，尽可能提高取光效率，要求硅胶和透镜材料的折射率尽可能高。传统的硅胶或硅树脂材料的折光指数仅为1.41左右，而理想封装材料的折光指数应该尽可能的接近GaN的折光指数。

发明内容

为了解决上述的技术问题，本发明的目的是提供一种有机硅半导体封装胶组合物，该组合物是一种高折射率，高透光度，高物理强度，抗黄变，耐紫外和热老化的半导体元件的密封剂。

为了实现上述的目的，本发明采用了以下的技术方案：

有机硅半导体封装胶组合物，该组合物包括：

1）聚硅氧烷A，每分子中至少含有一个与硅连接的烯烃基和芳香基的聚硅氧烷，结构式如下：

(R¹R²2SiO1/2)a·(R¹2SiO2/2)b·(R¹R²SiO2/2)c·(R³SiO2/2)d·(R³SiO3/2)e

其中R¹为烷基，R²为烯烃基，R³为芳香基，所述的a+b+c+d+e=100，a=1~20，b=10~20，c=10~20，d=0~10,e=30~60；

2）聚硅氧烷B，每分子中至少含有二个与硅连接的氢原子和芳香基的氧基硅烷，结构式如下：

(R¹R⁴SiO1/2)o·(R¹2SiO2/2)p·(R¹R⁴SiO2/2)q·(R³SiO2/2)r·(R³SiO3/2)s

其中R¹ 为烷基，R³为芳香基, R⁴为H原子或烷基, 所述的 o+p+q+r+s=100, o=1~20，p=10~20，q=0~20，r=0~10,s=30~60；

按重量份计，所述的聚硅氧烷A为30~70重量份，聚硅氧烷B为30~70重量份。

本发明有机硅半导体封装胶组合物，其中聚硅氧烷A是作为主剂，聚硅氧烷B是作为固化剂。A、B混合物也可以包括粘接促进剂以改进粘接性能，混合物也可加入其它可选组份，如二氧化硅，氧化铝等非有机填料。A、B混合物中A和B的量无严格限定，但B的量不应低于使混合物固化为限，最佳为A：B为1：1。

作为优选，上述的R¹为甲基、乙基、丙基或丁基；R²为乙烯基，烯丙基或丁烯基； R³为苯基，甲苯基或萘基；R⁴为H原子、甲基、乙基、丙基或丁基。

作为优选，上述的有机硅半导体封装胶组合物还包括固化促进剂C和固化抑制剂D中的一种或两种，固化促进剂C为0.001~0.003重量份，固化抑制剂D为0.001~0.003重量份。固化促进剂C可以作为促进A、B混合物固化的催化剂，固化抑制剂D是起抑制A、B混合物固化的作用。固化促进剂C的用量无严格限定，但不应低于促使混合物固化为限。

作为优选，上述的固化促进剂C选用铂与有机硅氧烷低聚物的配合物。作为再优选，固化促进剂C中相对于组合物总量铂含量为1~100ppm ,最佳为5~50ppm。

作为优选，上述的固化抑制剂D是炔醇或炔醇与有机硅氧烷低聚物的配合物。

作为优选，上述的聚硅氧烷A的粘度为100~100000mPa，最佳为500~20000mPa。

作为优选，上述的聚硅氧烷B的粘度为50~50000mPa，最佳为100~5000mPa。

作为优选，上述的聚硅氧烷A和聚硅氧烷B中与硅连接的芳香基占总基团不少于40mol%，最佳不少于45mol%。