[发明专利]半导体芯片封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明总地涉及半导体芯片封装件制造领域，更具体地讲，本发明涉及一种半导体芯片封装件和该半导体芯片封装件的制造方法。

背景技术

在传统的多芯片封装件中，将多个半导体芯片安装在基板上，并采用包封材料来包封这些半导体芯片，以形成具有多个半导体芯片的封装件。通常，采用引线键合方式或倒装芯片方式来将半导体芯片安装在基板上。

图6是示出根据现有技术的半导体芯片封装件的示意性剖视图，如图6中所示，现有技术中的半导体芯片封装件包括采用引线键合方式安装在基板上的下部半导体芯片，以及采用倒装芯片方式安装在下部半导体芯片上的上部半导体芯片。因此，在下部半导体芯片的将要安装上部半导体芯片的表面上需要形成再布线层。此外，为了将上部半导体芯片的输入输出端分别电连接到基板，在进行下部半导体芯片的引线键合时，需要连接在再布线层和基板之间的额外的键合引线。因此，需要增加键合引线的数量，并相应地需要更精密的引线键合设备来执行引线键合，以保证不会出现电短路的情况。

图7A是示出根据现有技术的采用普通的引线键合方式安装在基板上的半导体芯片的示意性透视图，图7B是示出了图7A中的键合引线与基板的焊盘结合的部分的示意性俯视图和示意性侧视图。如图7A和图7B中所示，可以将芯片2放置在基板1上，芯片2可以通过键合引线4电连接到基板1的焊盘5上。标号3指示键合引线4的第一键合点位置，标号6指示键合引线4的第二键合点位置。如图7B中所示，在第二键合点位置处，键合引线的与基板的焊盘结合的部分成C字形，标号W₁指示C字形的结合部分的宽度，标号W₂指示基板的焊盘的宽度，标号P₁指示基板1的焊盘5的节距。

图7C是示出根据现有技术的采用超精细节距针脚式结合的引线键合方式所形成的键合引线与基板的焊盘结合的部分的示意性俯视图和示意性侧视图。如图7C中所示，在超精细节距针脚式结合的引线键合方式的情况下，基板的焊盘的节距P₂小于图7B中所示的节距P₁，宽度W₄小于图7B中所示的宽度W₂，所形成的C字形的结合部分的宽度W₃也小于图7B中所示的宽度W₁。因此，可以通过这样的超精细节距针脚式结合的引线键合方式设置数量比图7A和图7B中所示的采用普通的引线键合方式设置在半导体芯片与基板之间的键合引线的数量更多的键合引线。然而，图7C中示出的C字形的结合部分的尺寸小于图7B中示出的C字形的结合部分的尺寸，因此，键合引线与基板的焊盘之间的结合可能这样的结合部分的尺寸的缩小而变得不牢固。因此，在现有技术中，可以在C字形的结合部分处设置另外的保护突起，如图7D中所示，来增加键合引线与基板的焊盘之间的结合力，以保护并提高在第二键合点处形成的键合引线与基板上的焊盘之间的结合的稳定性。

发明内容

本发明的示例性实施例的目的在于克服在现有技术中的上述和其他缺点。为此，本发明的示例性实施例提供一种半导体芯片封装件及其制造方法。

根据本发明的示例性实施例，一种半导体芯片封装件可以包括：基板；第一半导体芯片，通过引线键合方式安装在基板上，第一半导体芯片的输入输出端通过多条键合引线电连接到基板的焊盘；第二半导体芯片，通过倒装芯片方式安装在基板上，第二半导体芯片的输入输出端通过多个连接突起电连接到基板的焊盘；包封材料层，包封第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，所述多条键合引线中的至少一条键合引线与所述多个连接突起中的至少一个连接突起结合到基板的同一焊盘。

所述至少一条键合引线可以通过超精细节距针脚式结合方式结合到所述同一焊盘。

所述至少一个连接突起可以包括焊球和顶部上覆盖有焊料层的金属柱中的至少一种。

所述至少一个连接突起可以通过回流焊接方式结合到所述同一焊盘。

所述至少一个连接突起可以包括与第二半导体芯片电绝缘的虚设连接突起。

所述至少一个连接突起的尺寸可以与其他的连接突起的尺寸不同。

第一半导体芯片可以设置在基板的表面上，第一半导体芯片的输入输出端可以通过引线键合方式电连接到基板的表面上的焊盘。第二半导体芯片可以设置在第一半导体芯片的一侧，第二半导体芯片的输入输出端可以通过倒装芯片方式电连接到基板的表面上的焊盘。

包封材料层可以具有填充在第一半导体芯片和设置在第一半导体芯片的一侧处的第二半导体芯片之间的一部分。