[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一基板，具有一外侧面；

一芯片，设于该基板上；以及

一散热结构，设于该基板上，且包括一第一连续侧部，该第一连续侧部环绕一容置空间且具有一凹陷外侧面，该芯片位于该容置空间内，该第一连续侧部的该凹陷外侧面与该基板的该外侧面间隔一距离。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该凹陷外侧面面向该基板。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其中该第一连续侧部更具有一边缘外侧面，该边缘外侧面延伸至该凹陷外侧面，该边缘外侧面与该基板的该外侧面对齐。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该第一连续侧部的该凹陷外侧面曲面。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该第一连续侧部更具有相对该凹陷外侧面的一内侧面，该内侧面一曲面。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该容置空间一贯孔，该芯片从该贯孔露出，该散热结构具有相对的一第一面与一第二面，该散热结构以该第二面设于该基板上，且该芯片未突出超过该散热结构的该第一面。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该散热结构直接设于该基板上。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

一第一结合元件，设于该基板与该散热结构之间，以结合该第一结合元件与该基板。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该散热结构更包括：

一上盖部，连接于该第一连续侧部且覆盖该芯片。

10.如权利要求9所述的半导体封装件，更包括：

一第二结合元件，设于该上盖部与该芯片之间，以结合该上盖部与该芯片。

11.如权利要求9所述的半导体封装件，其中该散热结构包括：

一第二连续侧部，连接于该第一连续侧部，该第二连续侧部平行于该上盖部。

12.如权利要求11所述的半导体封装件，更包括：

一第三结合元件，设于该第二连续侧部与该基板之间，以结合该第二连续侧部与该基板。

13.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该散热结构的材质铝。

14.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一散热板；

形成一介电保护层覆盖该散热板上；

形成一图案化线路层于该介电保护层中，其中该介电保护层及该图案化线路层形成一基板，该图案化线路层经由该介电保护层延伸至该散热板；

移除该散热板的一部分，其中该散热板形成一散热结构，其中该散热结构包括一第一连续侧部，该第一连续侧部围绕一容置空间且具有一凹陷外侧面，该图案化线路层从该容置空间露出；

设置一芯片于该容置空间内，其中该芯片电性连接至该图案化线路层；以及

形成一切割狭缝经过该基板，其中该基板形成一外侧面，该第一连续侧部的该凹陷外侧面与该基板的该外侧面间隔一距离。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中于移除该散热板的该部分的该步骤以化学蚀刻完成。

16.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一散热板；

移除该散热板的一部分，使该散热板形成一散热结构，其中该散热结构包括一第一连续侧部，该第一连续侧部围绕一容置空间且具有一凹陷部，该凹陷部具有一凹陷外侧面；

设置该散热结构于一基板上，其中该凹陷部面向该基板且该基板从该容置空间露出；

形成一预切割狭缝，其中该预切割狭缝延伸至该凹陷部；

设置一芯片于该容置空间内，其中该芯片电性连接于该基板；以及

形成一切割狭缝经过该基板，其中该基板形成一外侧面，该凹陷部的该凹陷外侧面与该基板的该外侧面间隔一距离。

17.如权利要求16所述的制造方法，其中于移除该散热板的该部分的该步骤中包括：

以激光加工方式，形成该容置空间于该散热板；以及

以化学蚀刻方式，形成该凹陷部于该散热板。